【摘要】本發明提供一種高電壓金屬氧化物半導體裝置，包含一柵極結構，設置于一半導體基底上方；一對絕緣間隙物，分別設置于該柵極結構的側壁上；以及一對懸浮非絕緣間隙物，分別嵌入于該絕緣間隙物中，其中各該懸浮非絕緣間隙物借由該絕緣間隙物與該柵極結構
【摘要】 一種具有防浮機構的覆晶封裝構造，包括一導線架、一覆晶芯片及復數個焊料。該導線架具有復數個導腳及一固定座，該固定座的上表面形成有至少一卡擎孔。該覆晶芯片具有一主動面，該主動面上設有至少一卡擎塊與復數個凸塊，該卡擎塊對應卡接于該卡擎孔，以作為該覆晶封裝構造的防浮機構。當焊料回焊連接凸塊與導腳時，該防浮機構可防止該覆晶芯片的上浮，并且避免焊料在回焊后形成頸縮。 【專利類型】發明申請 【申請人】日月光半導體制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610054922.6 【申請日】2006-02-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026141A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L23/495 【發明人】劉千; 王盟仁; 蔡勝泰 【主權項內容】1、一種具有防浮機構的覆晶封裝構造，包括一導線架、 一覆晶芯片和復數個焊料，該導線架具有一固定座和 復數個導腳，該覆晶芯片具有一主動面以及設置在該 主動面上的復數個凸塊，該復數個焊料連接所述凸塊 與導腳；其特征在于： 該導線架的固定座上形成有至少一卡擎孔，該覆晶芯片的主動 面上對應設有至少一卡擎塊，所述卡擎塊卡接于所述卡擎孔。 【當前權利人】日月光半導體制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號 【引證次數】1.0 【被引證次數】2 【自引次數】1.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】2
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