【摘要】本實(shí)用新型一種導(dǎo)音管八度音鍵音孔位置改良 的薩克斯風(fēng)，包含有：一主體、一導(dǎo)音管及一音孔蓋控制機(jī)構(gòu)， 該導(dǎo)音管是連接于該主體的一端，該導(dǎo)音管下方具有一音孔； 該音孔蓋控制機(jī)構(gòu)具有一連動(dòng)機(jī)構(gòu)及一復(fù)位組件，該復(fù)位組件 是連接于該導(dǎo)音管與該
【摘要】 本發(fā)明是有關(guān)于一種高功率金屬氧化半導(dǎo)體元 件，包括一P型基極區(qū)域，此P型基極區(qū)域具有N+型源極且 在施以電負(fù)載時(shí)其偏壓與P型基材不同。在一實(shí)施例中，使用 NPN配置的LDMOS元件，而且其元件源極與基層接點(diǎn)耦接以 防止產(chǎn)生NPN寄生元件。P型基極區(qū)域形成在N型井內(nèi)，此 N型井將基極區(qū)域與P形基材以及環(huán)繞的P型井隔開(kāi)。高摻雜 的N+型埋藏層隔開(kāi)N型井與P型基材，以防止垂直電擊穿。 【專利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】臺(tái)灣省新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路8號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610099188.5 【申請(qǐng)日】2006-08-02 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1964071A 【公開(kāi)公告日】2007-05-16 【公開(kāi)公告年份】2007 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L29/78; H01L27/04; H01L29/66 【發(fā)明人】伍佑國(guó); 陳富信; 蔣柏煜; 姜安民 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種高功率金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其特征在于其包括： 一第一類(lèi)型的半導(dǎo)體基材； 一第一類(lèi)型的第一井，由該半導(dǎo)體基材表面向下延伸； 一第二類(lèi)型的第二井，被該第一井側(cè)向包圍且被該半導(dǎo)體基材從下方 包覆； 一元件汲極，形成在該第二井內(nèi)； 一閘極介電質(zhì)，形成在該第二井之上，且一閘極電極形成于該閘極介 電質(zhì)之上，以作為一元件閘極； 一第一類(lèi)型的基極區(qū)域，形成在該第二井內(nèi)，且與該第一井和該半導(dǎo) 體基材互相隔開(kāi)；以及 一元件源極形成在該基極區(qū)域內(nèi)，且電性耦接至一第一接點(diǎn)以連接該 基極區(qū)域。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺(tái)灣省新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路8號(hào) 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】17
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776752053.html
喜歡就贊一下
