【摘要】本實用新型是一種動脈瓣膜檢測裝置，該裝置包括于兩端設有一開口與一穿孔的中空檢測筒以及一進水管，于該檢測筒具穿孔的一端設有將該穿孔封閉的透明檢測鏡，并于兩端設有將水灌入動脈根部的進水口與出水口，以及讓氣體排出的排氣入口與排氣出口，該進
【摘要】 一種半導體結構及其制造方法，其中該半導體結構包括：一基底；一第一低介電常數介電層，其覆蓋該基底，包括一第一區以及一第二區；多個導電構件，其位于該低介電常數介電層內；一上蓋層，其位于所述導電構件的至少一部分上；以及一介電上蓋層，其覆蓋該第一低介電常數介電層的第二區上，且未設置于該第一區，其中位于該第二區內的所述導電構件比位于該第一區內的所述導電構件的間距更寬。該介電上蓋層優選具有一固有壓縮應力。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610164029.9 【申請日】2006-12-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1979841A 【公開公告日】2007-06-13 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100452389C 【授權公告日】2009-01-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L23/522; H01L21/768 【發明人】吳倉聚; 章勛明 【主權項內容】1、一種半導體結構，包括： 一基底； 一第一低介電常數介電層，其覆蓋該基底，包括一第一區以及一第二區； 多個導電構件，其位于該第一低介電常數介電層內； 一上蓋層，其位于所述導電構件的至少一部分上；以及 一介電上蓋層，其覆蓋該第一低介電常數介電層的第二區上且未設置于 該第一低介電常數介電層的第一區，其中位于該第二區內的所述導電構件比 位于該第一區內的所述導電構件具有更寬的間距。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】2 【被自引次數】2.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】22
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