【摘要】本實用新型公開一種偏斜檢測裝置，用以檢測一連接器的待測接腳，此連接器具有一插槽，待測接腳設置于插槽內，檢測裝置包括：檢測器及傳感器。檢測器包括：本體、第一凸塊及第二凸塊，且第一凸塊及第二凸塊突出于本體的一側，用以插置于插槽。第一凸塊
【摘要】 本發明提供一種半導體結構及其制造方法，包括：一基板，一核心電路以及一靜態隨機存取存儲器晶胞；其中上述靜態隨機存取存儲器晶胞包括一提升電位P型金屬氧化物半導體晶體管，包括：一第一源/漏極區，位于上述基板中；一第一鍺化硅應激物，位于上述基板中，部分重疊于至少一部分的上述第一源/漏極區；以及一第一電流調整區，部分重疊于至少一部分的上述第一源/漏極區；以及其中上述核心電路包括一核心P型金屬氧化物半導體晶體管，其包括：一第二源/漏極區，位于上述基板中；一第二鍺化硅應激物，位于上述基板中，部分重疊于至少一部分的上述第二源/漏極區；以及其中上述核心P型金屬氧化物半導體晶體管無電流調整區。 微信 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610140647.X 【申請日】2006-09-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055872A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100481462C 【授權公告日】2009-04-22 【授權公告年份】2009.0 【發明人】王盈斌; 卡羅斯 【主權項內容】1.一種半導體結構，其特征在于，該半導體結構包括： 一基板，包括一核心電路區以及一靜態隨機存取存儲器區； 一第一P型金屬氧化物半導體晶體管，位于該靜態隨機存取存 儲器區中，其中該第一P型金屬氧化物半導體晶體管包括： 一第一柵極介電層，覆蓋于該基板上； 一第一柵極，位于該第一柵極介電層上； 一第一間隙壁，位于該第一柵極的側壁； 一第一淺摻雜源/漏極區，對準于該第一柵極的一邊緣； 一第一鍺化硅應激物，位于該基板中，且與該第一柵極的該 邊緣相鄰； 一第一深源/漏極區，位于該基板中，且與該第一柵極的該邊 緣隔開；以及 一電流調整區，部分重疊于該第一鍺化硅應激物；以及 一第二P型金屬氧化物半導體晶體管，位于該核心電路區，其 中該第二P型金屬氧化物半導體晶體管包括： 一第二柵極介電層，覆蓋于該基板上； 一第二柵極，位于該第二柵極介電層上； 一第二間隙壁，位于該第二柵極的側壁； 一第二淺摻雜源/漏極區，對準于該第二柵極的一邊緣； 一第二鍺化硅應激物，位于該基板中，且與該第二柵極的該 邊緣相鄰； 一第二深源/漏極區，位于該基板中，且與該第二柵極的該邊 緣隔開；以及 其中該第二P型金屬氧化物半導體晶體管無電流調整區。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】62
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