【摘要】本發(fā)明公開了一種使用無(wú)定形碳薄膜的應(yīng)變?cè)鰪?qiáng)半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括：一半導(dǎo)體襯底，具有一PMOS區(qū)域和一NMOS區(qū)域；一第一柵極結(jié)構(gòu)和一第二柵極結(jié)構(gòu)；一源極漏極；一硅化區(qū)；一具有張應(yīng)力的無(wú)定形碳薄膜；以及一介電層。無(wú)
【摘要】 本實(shí)用新型是一種筷體結(jié)構(gòu)改良，其是由筷體及嵌件所構(gòu)成，而筷體設(shè)有夾摯部及筷身部，另外筷身部設(shè)有嵌槽，該嵌槽供嵌合置入嵌件，以達(dá)到不破壞筷體剛性并可提升筷體附加價(jià)值美感的功效。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】郭博瑞 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣高雄市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620137148.0 【申請(qǐng)日】2006-09-22 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN200948025Y 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200948025Y 【授權(quán)公告日】2007-09-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】A47G21/10; A47G21/00 【發(fā)明人】郭博瑞 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種筷體結(jié)構(gòu)改良，其特征在于，包括： 一筷體，該筷體一端設(shè)有夾摯部，并且該筷體的另一端設(shè)有筷身 部，在筷身部的表面設(shè)有嵌槽； 一嵌件，該嵌件置入嵌合于筷身部表面所設(shè)的嵌槽。 【當(dāng)前權(quán)利人】郭博瑞 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣高雄市
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