【摘要】一個溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)單元，它具有由一源區域圍繞著的溝槽柵極，而該 源區域則處于安置在襯底底面的漏極之上的一個基體區域之 內。該MOSFET單元還具有一個源－基體接觸溝槽，它開得 使其側壁實際上垂直于
【摘要】 本發明提供一用于驅動有機發光二極管面板的電流鏡。本發明的電流鏡采用低電壓式金屬氧化物半導體晶體管以提供有機發光二極管面板足夠穩定的電流；并以高電壓式組件作為偏壓組件，以使本發明的電流鏡能接受有機發光二極管面板的高電壓電源。本發明在符合現行規格的情況下，增進了電流鏡驅動有機發光二極管面板的電流，進而提升了顯像品質。 【專利類型】發明申請 【申請人】奇景光電股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺南縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610058724.7 【申請日】2006-03-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101030352A 【公開公告日】2007-09-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100527203C 【授權公告日】2009-08-12 【授權公告年份】2009.0 【發明人】邱郁文; 卜令楷 【主權項內容】1.一種用于驅動有機發光二極管面板的電流鏡，其包含： 一第一低電壓式P型金屬氧化物半導體晶體管，其包含： 一源極，耦接于一第一參考電壓； 一漏極；以及 一柵極，耦接于該漏極； 一第二低電壓式P型金屬氧化物半導體晶體管，其包含： 一源極，耦接于該第一參考電壓； 一漏極；以及 一柵極，耦接于該第一低電壓式P型金屬氧化物半導體晶體管的柵極； 一第一高電壓式組件，耦接于該第一低電壓式P型金屬氧化物半導體晶 體管的漏極，以及耦接于一第一電流源；以及 一第二高電壓式組件，耦接于該第二低電壓式P型金屬氧化物半導體晶 體管的漏極，以及耦接于一有機發光二極管面板。 【當前權利人】奇景光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺南縣 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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