【摘要】本發(fā)明提供一種凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法。首先提供半導體基底，其具有存儲器陣列區(qū)，其中該半導體基底具有主表面，且在該主表面上形成有墊氧化層以及墊氮化硅層。本發(fā)明的特征在于利用形成在溝槽上蓋層的側壁上的對稱側壁子，進行柵極溝
【摘要】 一種固定結構，用以將線材固定于電子設備的機殼，包括設于該機殼的定位部、以及穿設于該定位部的配線件，該配線件具有用于定位至該定位部的第一止擋部、用于防止該配線件脫出該定位部的第二止擋部、及設于該配線件的一側的固定面。當欲設置線材于機殼一側時，必須先將第一止擋部拉至定位部，然后將該線材沿著機殼的一側配置，再將配線件壓下直到第二止擋部止擋于主機板為止，如此可使該線材輕易貼緊機殼，避免該線材卡到或接觸到主機板的電子零件，進而減少電磁干擾的情況發(fā)生。 【專利類型】實用新型 【申請人】英業(yè)達股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620130690.3 【申請日】2006-08-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2938711Y 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2938711Y 【授權公告日】2007-08-22 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H05K5/02; H05K7/02 【發(fā)明人】楊守仁 【主權項內容】1.一種固定結構，用以將線材固定于電子設備的機殼，其特征在 于，包括： 定位部，設于該機殼；以及 配線件，穿設于該定位部，包括用于定位至該定位部的第一止擋 部、用于防止該配線件脫出該定位部的第二止擋部、及設于該配線件 的一側的固定面。 【當前權利人】英業(yè)達股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市
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