【摘要】一種控制系統(tǒng)在適當溫度下工作的方法，使系統(tǒng)受熱時，除了考量溫度因素之外，進一步加入時間因素的考量的控制方式，當系統(tǒng)的受熱值到達某些設定值，控制器才會執(zhí)行相對應的控制模式發(fā)出控制信號，使系統(tǒng)的各組件受熱時獲得較佳的保護。【專利類型】發(fā)
【摘要】 本發(fā)明公開了一種N溝道TFT以及使用該TFT的OLED顯示裝置和電子器件。所述N溝道TFT包含：襯底、在襯底上的有源層，其中有源層包含N型源極區(qū)域和N型漏極區(qū)域、在有源層上的柵極介電層、以及在柵極介電層上的柵極區(qū)域。重摻雜的源極區(qū)域的至少一部分位于柵極區(qū)域的下面，且輕摻雜的漏極區(qū)域的至少一部分位于柵極區(qū)域的下面。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】統(tǒng)寶光電股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610127181.X 【申請日】2006-09-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075641A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100530697C 【授權公告日】2009-08-19 【授權公告年份】2009.0 【發(fā)明人】林敬偉 【主權項內(nèi)容】1.一種N溝道TFT，包含： 襯底； 在所述襯底上的有源層，其中所述有源層包含N型源極區(qū)域和N型漏 極區(qū)域； 在所述有源層上的柵極介電層；和 在所述柵極介電層上的柵極區(qū)域； 其中所述源極區(qū)域包含重摻雜的源極區(qū)域，其中所述重摻雜的源極區(qū)域 的至少一部分位于所述柵極區(qū)域的下面， 其中所述漏極區(qū)域包含第一摻雜漏極區(qū)域和第二摻雜漏極區(qū)域，其中所 述第一摻雜漏極區(qū)域的摻雜濃度低于所述第二摻雜漏極區(qū)域的摻雜濃度，其 中所述第一摻雜漏極區(qū)域為輕摻雜的漏極區(qū)域，其中所述輕摻雜的漏極區(qū)域 的至少一部分位于所述柵極區(qū)域的下面。 【當前權利人】統(tǒng)寶光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)區(qū) 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】6
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776681891.html
喜歡就贊一下
