【摘要】本發明提供一種集成電路的電容器結構及其制造方法，包含：一第一板狀物層，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板狀物；一第一介電層，覆蓋于該第一板狀物層上；一第一延伸層，在該第一介電層上，包含一系列相互交叉的第一延伸
【摘要】 本發明公開一種散熱件支撐柱的制法，該散熱件支撐柱的制法包括：制備具有凹部的基板；在該基板的凹部上制備具有至少一貫孔的注料板，該貫孔對應到該基板預設形成支撐柱的位置；灌注骨料到該貫孔中；將該基板、注料板與骨料置入高溫環境中燒結；以及在該骨料定型后將該注料板移除，在該基板的凹部上形成支撐柱。本發明的散熱件支撐柱的制法，能控制并提升散熱件支撐柱的密度與毛細結構，增加散熱件的散熱效率。 【專利類型】發明申請 【申請人】英業達股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610080174.9 【申請日】2006-05-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101069922A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100496811C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【發明人】楊琇妃 【主權項內容】 1.一種散熱件支撐柱的制法，其特征在于，該散熱件支撐柱的制 法包括： 制備具有凹部的基板； 在該基板的凹部上制備具有至少一貫孔的注料板，該貫孔對應到 該基板預設形成支撐柱的位置； 灌注骨料到該貫孔中； 將該基板、注料板與骨料置入高溫環境中燒結；以及 在該骨料定型后將該注料板移除，在該基板的凹部上形成支撐柱。 【當前權利人】英業達股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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