【摘要】本發明提供了一電容結構，采用交錯耦合狀的設計，達到導線或是電極板間可以使一電極上下左右與另一電極互相耦合，達到最小面積最高電容值的效果，且采用的導孔數少，此電容在最小面積上有最大的電容值。應用在高頻高速模塊或系統中可以提升電容性基板
【摘要】 該數據由<>整理 。本發明公開了一種像素結構及其制作方法，其中 像素結構，適于配置在一基板上，像素結構包括一掃描線、一 數據線、一主動組件、一遮蔽電極與一像素電極。掃描線、數 據線、主動組件配置于基板上，其中數據線包括一上層導線與 一下層導線。上層導線配置于掃描 線上方，且跨越掃描線。下層導線與上層導線電性連接。主動 組件電性連接至掃描線與上層導線。遮蔽電極配置于下層導線 上方。像素電極位于遮蔽電極上方，并與主動組件電性連接， 且部分的像素電極與部分的遮蔽電極構成一存儲電容。 【專利類型】發明申請 【申請人】友達光電股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610160979.4 【申請日】2006-12-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1971388A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【發明人】林祥麟; 蔡晴宇; 鄭逸圣; 黃國有 【主權項內容】1、一種像素結構，設置于一基板上，其特征在于，包括： 一掃描線，配置于該基板上； 一數據線，配置于該基板上，且該數據線包括：一上層導線，配置于該掃 描線上方，且跨越該掃描線；一下層導線，電性連接于該上層導線； 一主動組件，配置于該基板上，且該主動組件電性連接于該掃描線以及該 上層導線； 一遮蔽電極，配置于該下層導線上；以及 一像素電極，與該主動組件電性連接，其中該像素電極位于該遮蔽電極上， 且部分的該像素電極與部分的該遮蔽電極構成一存儲電容。 【當前權利人】友達光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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