【摘要】一種銑刀檢測裝置，包含在架臺頂部設置一進料區及一排料區，該進料區及排料區均能分別擺置及移載置放銑刀的置刀座，且進料區與排料區之間及其頂部分別設有一移料區及一刀具移載裝置，并于移料區上設有一檢測區；該移料區能移載一旋轉氣壓缸往返于進料
【摘要】 本實用新型公開一種包括離子摻雜結的高壓側驅動器的半導體結構。離子摻雜結包括一襯底及一深阱。深阱形成于襯底內并具有一第一凹結構。離子摻雜結包括一連接至該深阱的第一凹結構的半導體區域，該半導體區域并具有與該襯底實質上相同的離子摻雜濃度。借此得以增加鄰近電容結構凹區域的高壓結的擊穿電壓。因此，得以降低芯片面積及制造高壓側驅動器的成本。 【專利類型】實用新型 【申請人】崇貿科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620149902.2 【申請日】2006-10-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200979883Y 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200979883Y 【授權公告日】2007-11-21 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L27/04 【發明人】蔣秋志; 黃志豐 【主權項內容】1.一種高壓側驅動器的半導體結構，包括一離子摻雜結，該離子摻雜結包 括： 一襯底；以及 一深阱，形成于所述襯底內，所述深阱具有一第一凹結構； 其特征在于，所述離子摻雜結包括一連接至所述深阱的第一凹結構的半導 體區域，并且所述半導體區域具有與所述襯底實質上相同的離子摻雜濃度。 【當前權利人】崇貿科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【被引證次數】1 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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