【摘要】一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，提供基底。基底上具有切割線，將基底劃分為至少一個芯片。于基底中形成溝槽，溝槽位于預(yù)定形成焊墊的區(qū)域或焊墊與切割線之間的區(qū)域。然后，于溝槽的側(cè)壁及底部的基底中形成下電極，并于基底上形成電容介電層與上電極
【摘要】 本實用新型公開了一種模組進(jìn)氣并排活化器，其在一殼體內(nèi)具有一連通兩端的容置空間，而殼體設(shè)有固定部，使殼體可以該固定部模組化安裝于進(jìn)氣管入口，而殼體內(nèi)并排裝置有活化晶片組，該活化晶片組系以能微細(xì)化空氣的成分為原料制成，其設(shè)有多數(shù)貫穿的導(dǎo)氣孔，以使容置空間兩端相通，令活化晶片組放射出的遠(yuǎn)紅外線波長震動流過的空氣分子，增加氣體分子活性，以提升燃燒效率；本實用新型主要借由可任意延展的并排活化晶片組而能裝置于不同形狀或尺寸的殼體內(nèi)，其殼體則能以并排活化晶片的模組化設(shè)計，使之可順利及快速的組設(shè) 于任何型式的進(jìn)氣管。 【專利類型】實用新型 【申請人】張清源; 陳建融 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省苗栗縣西湖鄉(xiāng)金獅村2鄰金獅5號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620059422.7 【申請日】2006-05-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2921330Y 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN2921330Y 【授權(quán)公告日】2007-07-11 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】F02M27/06; F23K5/08 【發(fā)明人】張清源; 陳建融 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種模組進(jìn)氣并排活化器，其特征在于它包括有： 一殼體，其內(nèi)具有透空的容置空間，殼體于容置空間一端延設(shè)有 管狀透空且和容置空間相通的固定部，該殼體以該固定部模組化安裝 于進(jìn)氣管；以及 一并排的活化晶片組，其為以能微細(xì)化空氣的成分為原料制成， 該并排活化晶片組安裝于殼體的容置空間，且活化晶片設(shè)有多數(shù)貫穿 的導(dǎo)氣孔，令容置空間兩端相導(dǎo)通。 【當(dāng)前權(quán)利人】張清源; 陳建融 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省苗栗縣西湖鄉(xiāng)金獅村2鄰金獅5號; 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】1 【他引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】1
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