【摘要】本發明提出一種半導體元件的制造方法，該半導 體元件具有淺型以及高摻雜濃度的源極漏極區域。其制造方法 包括：在基板上制造柵極電極；借由注入離子將該基板的源極 漏極區域轉換為非晶狀態；在上述源極漏極區域注入離子， 以執行同步注入工藝；注
【摘要】 本發明提出一種手動頻道設定方法，適用于頻帶范圍內設定頻道，其步驟包括有：設定起始頻率及搜尋順序，并依序搜尋頻帶范圍。當搜尋到所述目標頻道或接收到一暫停搜尋指令時，暫停搜尋，將一目前所在頻率設為所述目標頻率，并執行自動命名功能，以取得目標頻道的名稱。由一使用者決定是否將所述目標頻道的所述頻道名稱及所述目標頻率紀錄于一頻道表中。根據所述搜尋順序，由所述目標頻率重復依序搜尋所述目標頻道。 【專利類型】發明申請 【申請人】明基電通股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610074032.1 【申請日】2006-04-04 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101052103A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發明人】張志誠 【主權項內容】1.一種手動頻道設定方法，適用于一頻帶范圍內搜尋及設定位于一目標 頻率的一目標頻道，所述頻帶范圍介于一第一邊界頻率與一第二邊界頻率之 間，所述目標頻道具有一頻道信號的一頻道，所述方法包括下列步驟： (A)設定一起始頻率及一搜尋順序，并根據所述搜尋順序由所述起始頻 率依序搜尋所述目標頻道； (B)當搜尋到所述目標頻道或接收到一暫停搜尋指令時，暫停搜尋，將 一目前所在頻率設為所述目標頻率； (C)執行一自動命名功能，以取得所述目標頻道的一頻道名稱； (D)由一使用者決定是否將所述目標頻道的所述頻道名稱及所述目標頻 率紀錄于一頻道表中；及 (E)根據所述搜尋順序，由所述目標頻率繼續依序搜尋所述目標頻道， 并回到步驟(B)。 【當前權利人】明基電通股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣
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