【摘要】本實用新型是關(guān)于一種可監(jiān)視瓦斯漏氣警報自動遮斷操作裝置,其具有:一主機,其具有一殼體及一通訊接口;至少一通訊卡;一瓦斯遮斷閥,可接受該主機的控制以開啟或關(guān)閉瓦斯;以及一瓦斯偵測器,其可感測瓦斯的濃度;該瓦斯偵測器所偵測的瓦斯?jié)舛刃盘?/p>
【摘要】 本發(fā)明公開了一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法,所述方法包括:提供一基底,且在基底上形成一柵極結(jié)構(gòu),又在柵極結(jié)構(gòu)周圍形成一偏間隙壁,在偏間隙壁周圍形成一犧牲間隙壁。再者,在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成多個外延層,且外延層位于犧牲間隙壁的外側(cè),之后去除犧牲間隙壁,并在偏間隙壁外側(cè)的基底中以及外延層中形成多個漏極/源極延伸區(qū)。由于本發(fā)明的源極/漏極延伸區(qū)在選擇性外延工藝之后制作,所以選擇性外延工藝的高溫不會破壞源極/漏極延伸區(qū)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610084223.6 【申請日】2006-05-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083211A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100585815C 【授權(quán)公告日】2010-01-27 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L21/336; H01L21/8238; H01L21/02; H01L21/70 【發(fā)明人】藍邦強; 蔡振華; 林育信; 蔡宗龍; 蔡成宗 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法,包括: 提供基底; 在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu); 在所述柵極結(jié)構(gòu)周圍形成偏間隙壁; 在所述偏間隙壁周圍形成犧牲間隙壁; 在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成二外延層,且所述外延層位于所述犧牲間隙 壁的外側(cè); 去除所述犧牲間隙壁;以及 在所述偏間隙壁外側(cè)的所述基底中,以及所述外延層中形成多個漏極/ 源極延伸區(qū)。 【當前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】6 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】6
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