【專利類型】外觀設計【申請人】黃正朝【申請人類型】個人【申請人地址】中國臺灣【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630137727.0【申請日】2006-08-24【申請年份】2006【公開公告號】CN30070409
【摘要】 本發(fā)明涉及一種鉆石基板及其制作方法，該鉆石基板包括：一碳化硅層；一鉆石膜層，形成于該碳化硅層上，以該碳化硅層防止該鉆石膜層產(chǎn)生翹曲變形；及一半導體層，形成于該碳化硅層下，并通過該碳化硅層緩和該鉆石膜層與該半導體層的晶格不匹配性。在成長鉆石膜層的工藝中，先形成碳化硅層于鉆石膜層下方，以減低鉆石膜層的翹曲變形量，再在鉆石膜層上制作半導體層，或在碳化硅層下直接成長出半導體層，以利用碳化硅層來緩和鉆石膜層與半導體層的晶格不匹配性，而提高半導體層的結晶質(zhì)量，并借以簡化工藝與提升產(chǎn)品的效能與穩(wěn)定性。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國砂輪企業(yè)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610066354.1 【申請日】2006-03-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047215A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L21/20; H01L33/12; H01L33/48 【發(fā)明人】張孝國; 黃仁烜; 陳志鵬; 陳娜玲; 溫世邦 【主權項內(nèi)容】1.一種鉆石基板，其特征在于，包括有： 一碳化硅層； 一鉆石膜層，形成于該碳化硅層上，以該碳化硅層防止該鉆石膜層產(chǎn)生翹 曲變形；及 一半導體層，形成于該碳化硅層下，并通過該碳化硅層緩和該鉆石膜層與 該半導體層的晶格不匹配性。 【當前權利人】中國砂輪企業(yè)股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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