【摘要】本實用新型是一種CPU散熱裝置，可裝設(shè)在一計算機主機內(nèi)的主機板中，用以排除一CPU因運算而產(chǎn)生的大量熱源，其包括：一吸熱板，其一側(cè)與CPU相互接觸，所述的吸熱板另一側(cè)則成型有復(fù)數(shù)個長槽；復(fù)數(shù)個熱管，設(shè)置在所述的吸熱板的所述的長槽內(nèi)部
【摘要】 一種制造羥胺的方法，包含：(1)形成酸性緩沖溶液并進行預(yù)處理；以及(2)在催化劑存在的條件下，利用氫氣將該酸性緩沖溶液中的硝酸根還原成羥胺；該預(yù)處理是使用具有下式(I)所示官能團的化合物自該酸性緩沖溶液中分離金屬雜質(zhì)。本發(fā)明的方法是使用經(jīng)預(yù)處理去除金屬雜質(zhì)的酸性緩沖溶液進行羥胺反應(yīng)，從而可以明顯地提高羥胺反應(yīng)的選擇率。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國石油化學工業(yè)開發(fā)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610075258.3 【申請日】2006-04-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101058410A 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100494050C 【授權(quán)公告日】2009-06-03 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】C01B21/14; C01B21/00 【發(fā)明人】姚秉鐸; 謝正發(fā); 許仁豪 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種制造羥胺的方法，該方法包括下列步驟： (1)形成包括酸性緩沖劑、硝酸或硝酸鹽、以及金屬雜質(zhì)的酸性緩沖溶液 并進行預(yù)處理，該預(yù)處理是使用具有下式(I)所示官能團的化合物自該酸性 緩沖溶液中分離金屬雜質(zhì)： 式中，R1、R2、及R3是獨立地選自氫、苯基、經(jīng)C1-6烷基取代的苯基、 經(jīng)硝基取代的苯基、經(jīng)胺基取代的苯基、經(jīng)鹵素取代的苯基、具有1至3個 雜原子的雜芳基、-XR4、以及聚合物所構(gòu)成的組群；其中，該雜原子是選自 N、O、及S原子所構(gòu)成的組群、該雜芳基是指具有6至18個碳原子的芳香 族基團、X是表示化學鍵或具有1至6個碳原子的亞烷基，R4是選自氫、苯 基、具有1至3個雜原子的雜芳基、以及聚合物所構(gòu)成的組群，以及R1、R2、 及R3至少有一個不為氫；以及 (2)在催化劑存在的條件下，利用氫氣將該酸性緩沖溶液中的硝酸根還原 成羥胺。 【當前權(quán)利人】中國石油化學工業(yè)開發(fā)股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣臺北市 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】3 【他引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】3
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