【摘要】本發明為一種發光二極管驅動電路及串聯式發光二極管發光系統，發光二極管驅動電路由比較單元比較數據信號與至少一個電壓電平，以輸出模式選擇信號。緩存單元包括有指令緩存器與數據緩存器，該緩存單元連接于該比較單元，受控于該模式選擇信號以進入指
【摘要】 一種發光二極管結構及其制造方法，發光二極管可使用覆晶封裝結構。包含：提供一發光二極管結構，形成一導體強化層在該發光二極管結構上，并且與該發光二極管結構的p極接觸與n極接觸電性地連接；形成一凸塊區域定義層在該導體強化層上，其中該凸塊區域定義層之間有兩個電極區域；形成兩個凸塊墊在該兩個電極區域上，且與該導體強化層電性地連接；移除該凸塊區域定義層；以及選擇性移除暴露的該導體強化層，使得該兩凸塊墊之間電性地隔離。 該數據由<>整理 【專利類型】發明申請 【申請人】洲磊科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610082598.9 【申請日】2006-05-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075650A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100508226C 【授權公告日】2009-07-01 【授權公告年份】2009.0 【發明人】吳伯仁; 吳美慧; 陳建安; 張源孝 【主權項內容】1.一種封裝發光二極管的方法，包含： 提供一發光二極管結構； 形成一導體強化層在該發光二極管結構上，并且與該發光二極管結構的 p極接觸與n極接觸電性地連接； 形成一凸塊區域定義層在該導體強化層上，其中該凸塊區域定義層之間 有兩個電極區域； 形成兩個凸塊墊在該兩個電極區域上，且與該導體強化層電性地連接； 移除該凸塊區域定義層；以及 選擇性移除暴露的該導體強化層，使得該兩凸塊墊之間電性地隔離。 【當前權利人】洲磊科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】4
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