【摘要】一種噴墨印頭，包括基底、多數(shù)個加熱組件、多數(shù)對導線、墨腔層、以及噴孔片。基底具有一表面及多數(shù)個墨水孔道，其中這些墨水孔道貫穿基底。此外，這些加熱組件、這些對導線及墨腔層配置于基底的表面之上，且這些對導線電性連接其對應的加熱組件，而加
【摘要】 一種靜態(tài)隨機存取存儲器單元，包括一基底、一層柵介電層、一個柵極、一個溝槽式電容器、一個源極/漏極區(qū)、一個第一接觸窗及一個第二接觸窗。其中，基底已形成有一個溝槽，而柵介電層配置于基底上。柵極配置于柵介電層上，而溝槽式電容器配置于柵極一側的溝槽中。源極/漏極區(qū)配置于柵極兩側的基底中，柵極一側的源極/漏極區(qū)是位于柵極與溝槽式電容器之間。第一接觸窗電連接于溝槽式電容器，而第二接觸窗電連接于柵極另一側的源極/漏極區(qū)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610071509.0 【申請日】2006-03-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047185A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100479166C 【授權公告日】2009-04-15 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/11 【發(fā)明人】黃俊麒; 梁佳文; 林永昌; 李瑞池 【主權項內容】1、一種靜態(tài)隨機存取存儲器單元，包括： 基底，已形成有溝槽； 柵介電層，配置于該基底上； 柵極，配置于該柵介電層上； 溝槽式電容器，配置于該柵極一側的該溝槽中； 源極/漏極區(qū)，配置于該柵極兩側的該基底中，該柵極一側的該源極/漏 極區(qū)是位于該柵極與該溝槽式電容器之間； 第一接觸窗，電連接于該溝槽式電容器；以及 第二接觸窗，電連接于該柵極另一側的該源極/漏極區(qū)。 【當前權利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】2
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