【摘要】本發(fā)明公開一種將從可變速率數(shù)據(jù)串行流所接 收的信息集合施以固定延遲的機構(gòu)，該機構(gòu)主要包含：一第一 緩沖區(qū)及一第二緩沖區(qū)，第一緩沖區(qū)用以存儲一第一時間周期 中所接收一串行流的信息集合，第二緩沖區(qū)用以存儲一第 二時間周期中所接收串行流的
【摘要】 一種半導(dǎo)體元件，包括一基底、一層?xùn)沤殡妼印⒁粬艠O、一源極/漏極區(qū)及一層應(yīng)力層。其中，柵介電層配置于基底上，而柵極配置于柵介電層上，且柵極的頂部面積大于底部面積。另外，源極/漏極區(qū)配置于柵極兩側(cè)的基底中，而應(yīng)力層配置于基底上，并覆蓋于柵極與源極/漏極區(qū)上。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610077851.1 【申請日】2006-05-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101071823A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】張惠貞; 林建廷; 許哲華; 陳亮瑋; 李孟麟; 蕭維滄 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種半導(dǎo)體元件，包括： 基底； 柵介電層，配置于該基底上； 柵極，配置于該柵介電層上，而該柵極的頂部面積大于底部面積； 源極/漏極區(qū)，配置于該柵極兩側(cè)的該基底中；以及 應(yīng)力層，配置于該基底上，并覆蓋于該柵極與該源極/漏極區(qū)上。 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】5
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