【摘要】本實用新型是一種發光二極管與支架的連接裝置，其中設置在電路上且在不同極性的二支架上設有發光二極管，于二支架上分別形成突柱，于發光二極管上設有二導片，其相對突柱位置形成有固定孔，該突柱穿設在固定孔并以工具或模具予以壓合，使其端頭變形擴
【摘要】 一種電容器接點結構，適用于動態隨機存取存儲器的存儲單元陣列區，此存儲單元陣列區配置于基底上，且位于基底中的摻雜帶上，此電容器接點結構包括閑置電容器與接觸窗。其中，閑置電容器配置于基底的第一溝渠中，且第一溝渠底部暴露出部分摻雜帶。閑置電容器包括第一下電極、第一介電層與第一上電極。第一下電極沿著第一溝渠內面配置，且電性連接摻雜帶。第一介電層配置于第一下電極與第一溝渠的側壁之間。第一上電極則配置于第一下電極上，且填滿第一溝渠。接觸窗配置于閑置電容器上，藉此電性連接摻雜帶。 【專利類型】實用新型 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620121277.0 【申請日】2006-07-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2935476Y 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2935476Y 【授權公告日】2007-08-15 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L27/108 【發明人】蘇怡男; 楊進盛 【主權項內容】1.一種電容器接點結構，其特征在于，適用于動態隨機存取存儲器的 存儲單元陣列區，該存儲單元陣列區配置于基底上，且位于該基底中的摻 雜帶上，該電容器接點結構包括： 閑置電容器，配置于該基底中的第一溝渠中，且該第一溝渠底部暴露 出該摻雜帶，該閑置電容器包括： 第一下電極，沿著該第一溝渠內面配置，且電性連接該摻雜帶； 第一介電層，配置于該第一下電極與該第一溝渠的側壁之間；以及 第一上電極，配置于該第一下電極上，且填滿該第一溝渠；以及 接觸窗，配置于該閑置電容器上，藉此電性連接該摻雜帶。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】1 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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