【摘要】本發明涉及一種以連續性機械可讀碼為基礎的數據交換方法及系統，是用于在一第一裝置及一第二裝置間傳送數據，其中，第一裝置具有一顯示器，第二裝置具有一影像擷取器，首先，第一裝置將要傳送的數據分割為多個區塊；其次，第一裝置將該多個區塊轉換為
【摘要】 本發明提供一種半導體裝置及其制造方法。本發 明的實施例包括形成第一摻雜區與第二摻雜區。第一摻雜區與 第二摻雜區可形成作為高壓N型金屬氧化物半導體晶體管的 雙擴散漏極架構。第一摻雜區的柵極側邊緣設置于部分柵電極 的下方。第二摻雜區形成于第一摻雜區內，且相鄰于柵電極。 第二摻雜區的柵極側邊緣與最接近的柵電極間隙壁的側壁相 距第一距離。第二摻雜區的隔離區側邊緣與最接近的隔離區的 側壁相距第二距離。本發明可有效地改進HVMOS的性能。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610075255.X 【申請日】2006-04-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953209A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1953209B 【授權公告日】2010-10-13 【授權公告年份】2010.0 【發明人】田威廉; 陳富信; 林瑞文; 伍佑國 【主權項內容】1.一種高壓半導體裝置，包括： 主動區，設置于半導體基底中，其中上述主動區通過隔離區而被隔離； 柵電極，設置于上述主動區上方； 至少一介電層，設置于上述柵電極的側壁的上方； 一對間隙壁，設置于上述介電層上； 第一摻雜區，設置于上述主動區內，其中上述第一摻雜區包括設置于上 述間隙壁之一下方的部分以及相鄰于上述間隙壁之一的部分；以及 第二摻雜區，大體設置于與上述間隙壁之一相鄰的部分上述第一摻雜區 內，其中上述第二摻雜區與上述間隙壁之一隔離。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】2 【家族被引證次數】8
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776449174.html
喜歡就贊一下
