【摘要】本發(fā)明公開了一種基于旁路干擾的流量控制方法，包括以下步驟：1)構建流量控制的規(guī)則庫；2)根據(jù)規(guī)則的時間，進行規(guī)則調(diào)度，建立活躍規(guī)則庫；3)對數(shù)據(jù)包進行解析，計算出數(shù)據(jù)包速率信息并根據(jù)當前活躍規(guī)則庫中的規(guī)則進行全局決策和局部決策，根據(jù)
【摘要】 本發(fā)明公開了屬于微電子器件范圍的一種基于 應變SiGe溝道的高速、高抗輻照的鐵電存儲器。鐵電存儲器 的單元結構是由M1管串接鐵電電容Cf1和M2串接鐵電電容 Cf2，然后兩個鐵電電容連接在一起后接至驅(qū)動線PL，M1、 M2的柵極串接后接至字線WL，M1、M2的源極或漏極分別 連接位線BL和位線BLB；BL，BLB再和靈敏放大器SA連接， 其中M1、M2為N－MOS管。本發(fā)明將應變SiGe用作P－ MOS管的溝道，提高溝道中空穴遷移率，從而提高P－MOS 管的工作速度，以便與N－MOS的速度相匹配，因此鐵電存 儲器以其非揮發(fā)、低功耗、高速存取、高耐重寫、高安全性等 突出優(yōu)點，應用廣泛，可望取代現(xiàn)有半導體存儲器，市場潛力 大。 ： 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】清華大學; 中國電子科技集團公司第二十四研究所 【申請人類型】企業(yè),學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610075925.8 【申請日】2006-04-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1921005A 【公開公告日】2007-02-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1921005B 【授權公告日】2012-02-08 【授權公告年份】2012.0 【發(fā)明人】劉道廣; 任天令; 謝丹; 許軍; 劉理天; 陳弘毅; 徐世六 【主權項內(nèi)容】1.一種基于應變SiGe溝道的高速、高抗輻照的鐵電存儲器，其特征在于， 所述鐵電存儲器是將鐵電薄膜材料與CMOS集成工藝相兼容制成； 所述鐵電存儲器的單元結構是由M1管串接鐵電電容Cf1和M2串接鐵電電容 Cf2，然后兩個鐵電電容連接在一起后接至驅(qū)動線PL，M1、M2的柵極串接后接至 字線WL，M1、M2的源極或漏極分別位線BL和位線BLB；BL，BLB再和靈敏放大 器SA連接。 數(shù)據(jù)由整理 【當前權利人】清華大學; 中國電子科技集團公司第二十四研究所 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱; 重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號 【專利權人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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