【摘要】本發明公開了一種用于前置測試的方法、裝置及系統，其中所述方法包括下列步驟：預置報文生成文件，所述報文生成文件用于生成前置交易報文；根據所述報文生成文件生成前置交易報文；向所述前置發送所述前置交易報文；接收所述前置返回前置應答報文；保
【摘要】 本發明涉及一種硅襯底上生長的非極性(1120)A面氮化物薄膜，包括一硅襯底、依次生長在其上的金屬層、InGaAlN初始生長層和第一InGaAlN緩沖層，其特征在于：所述的硅襯底為采用(100)面、(110)面或偏角的Si襯底。該硅襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜可以應用于發光二極管、激光器、太陽能電池等領域。在其上依據不同的器件應用生長相應的器件外延結構，例如生長和制備的發光二極管和激光器，并進一步利用成熟的硅工藝，制備對應的雙面電極器件或采用剝離工藝的器件。與現有技術相比，本發明的優點在于：本發明可以有效提高非極性GaN基材料的生長質量，降低成本；并大幅簡化現有器件工藝，降低成本，以及可以大幅度提高散熱效率、發光效率。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011294.3 【申請日】2006-01-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009346A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L31/0248; H01L31/18; H01L21/3205; H01L21/20; H01S5/00; C23C16/44 【發明人】陳弘; 周均銘; 賈海強; 郭麗偉 【主權項內容】1、一種硅襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜，包括一硅襯底、依次生長在其 上的金屬層、InGaAlN初始生長層和第一InGaAlN緩沖層，其特征在于：所述的硅襯 底為采用(100)面、(110)面或偏角的Si襯底。 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數】19 【被他引次數】19.0 【家族被引證次數】19
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