【摘要】一種通用程序圖示化設計方案，涉及計算機語言與系統軟件的技術領域。現有的編程語言是以字符為基礎，具有語言特征的一維的編程方法。本發明主要是解決了實際應用中不得不使用一維方法來解決二維或多維現實的問題。本發明提出了一種以圖形為基礎單元，
【摘要】 本發明提供一種集成電路芯片產品壽命的評估 方法，包含如下步驟：通過進行芯片動態工作模式下的功耗評 估，來預估定位芯片局部溫度最高的區域；在預估出的芯片局 部溫度最高的區域進行去 封裝處理；在芯片去封裝的區域，用紅外遙感探測儀分別量出 常溫下和高溫環境下芯片動態工作模式下的裸片表面溫度；用 實測的芯片動態工作模式下的裸片表面溫度作為艾恩尼斯模 式中的Tuse和 Tstress估算芯片的壽命。本發明 通過采用紅外遙感技術來探測IC動態工作模式下的裸片表面 溫度，并用實測的裸片表面溫度作為艾恩尼斯模式中的 Tuse和 Tstress，可較為精確的估算IC的 壽命。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京中星微電子有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100083北京市海淀區學院路35號世寧大廈15層 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113289.3 【申請日】2006-09-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1924596A 【公開公告日】2007-03-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100507586C 【授權公告日】2009-07-01 【授權公告年份】2009.0 【發明人】歐陽浩宇; 胡敏; 宋鑫欣 【主權項內容】1、一種集成電路芯片產品壽命的評估方法，該方法包含如下步驟： 步驟1：通過進行芯片動態工作模式下的功耗評估，來預估定位芯片局 部溫度最高的區域； 步驟2：在預估出的芯片局部溫度最高的區域進行去封裝處理； 步驟3：在芯片去封裝的區域，用紅外遙感探測儀分別量出常溫下和高 溫環境下芯片動態工作模式下的裸片表面溫度； 步驟4：用實測的芯片動態工作模式下的裸片表面溫度作為艾恩尼斯模 式中的Tuse和Tstress估算芯片的壽命。 【當前權利人】北京中星微電子有限公司 【當前專利權人地址】北京市海淀區學院路35號世寧大廈15層 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】911101087002349407 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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