【摘要】本發(fā)明提供一種智能物料配送的監(jiān)控方法及系統(tǒng)，屬于服裝加工技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在吊架上設(shè)有RFID標(biāo)簽，當(dāng)?shù)跫芙?jīng)過(guò)某個(gè)工作站進(jìn)站口前的RFID讀卡器時(shí)，讀卡器會(huì)讀到吊架標(biāo)簽上的信息，經(jīng)由 工作站終端設(shè)備發(fā)送給上位機(jī)；上位機(jī)接收到吊架
【摘要】 本發(fā)明公開(kāi)了一種聚焦離子束修改集成電路的 方法，包括定位步驟、挖洞步驟、沉積步驟和將集成電路的地 線(xiàn)引腳接地的步驟。在定位步驟中，定位地線(xiàn)通孔和電路線(xiàn)通 孔的位置；在挖洞步驟和沉積步驟中，在挖地線(xiàn)通孔前，在集 成電路的頂層上地線(xiàn)通孔所在區(qū)域鍍第一金屬鍍層；挖地線(xiàn)通 孔時(shí)，在地線(xiàn)通孔的位置從集成電路的頂層向下挖地線(xiàn)通孔到 集成電路內(nèi)的地線(xiàn)處，并在地線(xiàn)通孔中沉積金屬至第一金屬鍍 層；在挖電路線(xiàn)通孔前，在集成電路的頂層上電路線(xiàn)通孔所在 區(qū)域鍍與第一金屬鍍層導(dǎo)電連接的第二金屬鍍層；挖電路線(xiàn)通 孔時(shí)，在電路線(xiàn)通孔的位置從集成電路的頂層向下挖電路線(xiàn)通 孔到集成電路內(nèi)電路線(xiàn)處。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種采用聚焦離 子束修改的集成電路。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】北京中星微電子有限公司 【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)學(xué)院路35號(hào)世寧大廈15層 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610089139.3 【申請(qǐng)日】2006-08-04 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1889244A 【公開(kāi)公告日】2007-01-03 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100397609C 【授權(quán)公告日】2008-06-25 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L21/70; H01L27/02; H01L23/60 【發(fā)明人】歐陽(yáng)浩宇 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種聚焦離子束修改集成電路的方法，包括定位步驟、挖洞步驟和沉積步 驟，其特征在于：還包括將集成電路的地線(xiàn)引腳接地的步驟，并且，在定 位步驟中，定位集成電路的地線(xiàn)通孔的位置，和電路線(xiàn)通孔的位置；然后 在挖洞步驟和沉積步驟中， 在挖地線(xiàn)通孔之前，先在集成電路的頂層上所述地線(xiàn)通孔所在區(qū)域鍍 第一金屬鍍層；挖地線(xiàn)通孔時(shí)，在所述地線(xiàn)通孔的位置從集成電路的頂層 向下挖地線(xiàn)通孔到集成電路內(nèi)的地線(xiàn)處，并在所述地線(xiàn)通孔中沉積金屬至 所述第一金屬鍍層； 在挖電路線(xiàn)通孔之前，先在集成電路的頂層上所述電路線(xiàn)通孔所在區(qū) 域鍍與所述第一金屬鍍層導(dǎo)電連接的第二金屬鍍層；挖電路線(xiàn)通孔時(shí)，在 所述電路線(xiàn)通孔的位置從集成電路的頂層向下挖電路線(xiàn)通孔到集成電路 內(nèi)電路線(xiàn)處。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京中星微電子有限公司 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)學(xué)院路35號(hào)世寧大廈15層 【專(zhuān)利權(quán)人類(lèi)型】有限責(zé)任公司(外國(guó)法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】911101087002349407 【被引證次數(shù)】1 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】1
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