【摘要】本發(fā)明涉及一種低游離TDI三聚體固化劑的制 備方法，其包括：將甲苯二異氰酸酯、溶劑S以及催化劑A投 入反應(yīng)容器，加入抗氧劑和長(zhǎng)鏈醇，在反應(yīng)容器中進(jìn)行攪拌， 加熱并保溫，檢測(cè)NCO值；當(dāng)NCO值達(dá)到20～40％時(shí)，加 入相轉(zhuǎn)移溶劑X；
【摘要】 本發(fā)明提供一種現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列中RAM的三 維讀寫(xiě)方法，屬于通訊技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：(1)RAM的總 數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)L＝X*Y，將現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列中RAM的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 構(gòu)造成長(zhǎng)方體；(2)長(zhǎng)方體沿a方向的高度為W，沿b方向的長(zhǎng) 度為X或Y，沿c方向的寬度為X或Y；(3)將長(zhǎng)方體沿c方 向切割X或Y個(gè)截面，依次在每個(gè)截面上按照寫(xiě)入數(shù)據(jù)；(4) 當(dāng)寫(xiě)到數(shù)據(jù)L－Y時(shí)，將長(zhǎng)方體沿b方向切割X或Y個(gè)截面， 依次讀取每個(gè)截面上的數(shù)據(jù)。本發(fā)明利用三維地址操作思想， 可以解決傳統(tǒng)方案對(duì)RAM資源需求過(guò)多的問(wèn)題。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】北京大學(xué) 【申請(qǐng)人類(lèi)型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】100871北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610137693.4 【申請(qǐng)日】2006-11-03 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1959845A 【公開(kāi)公告日】2007-05-09 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100527274C 【授權(quán)公告日】2009-08-12 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】G11C11/409; G11C7/22; G06F12/02; G11C7/00 【發(fā)明人】朱柏承; 張宏; 李斗; 孫云剛; 李翔 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列中RAM的三維讀寫(xiě)方法，包括： (1)現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列中RAM的總數(shù)據(jù)L分為X個(gè)組，每個(gè)組Y個(gè) 數(shù)據(jù)，即L＝X*Y，將RAM的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)構(gòu)造成長(zhǎng)方體； (2)X＞Y，上述長(zhǎng)方體沿a方向的高度為W，沿b方向的長(zhǎng)度為Y， 沿c方向的寬度為Y，W*Y大于并近似X； (3)將長(zhǎng)方體沿c方向切割Y個(gè)截面，依次在每個(gè)截面上按照W行和 Y列寫(xiě)入X個(gè)數(shù)據(jù)； (4)當(dāng)寫(xiě)到第Y個(gè)截面時(shí)，將長(zhǎng)方體沿b方向切割Y個(gè)截面，依次讀 取每個(gè)截面上的數(shù)據(jù)。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京大學(xué) 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào) 【專(zhuān)利權(quán)人類(lèi)型】公立 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400002259P 【家族引證次數(shù)】4.0
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