【摘要】一種用于垂直腔面發射激光器TO封裝用的管座，其特性在于，其中包括：一基座，該基座為圓形，在基座的上表面有一斜面，該斜面用于固定光電探測器芯片；該基座上開有多個圓孔，該圓孔中固定有多個管腳。該結構設計不僅可以消除光電探測器反射光對器件
【摘要】 本發明屬于帶隙基準電壓源領域，其特征在于在 現有帶隙基準電壓源的基礎上，增加了兩條電流支路，分別為 兩個三極管的集電極注入電流和取出電流，從而改變了注入兩 個三極管電流的溫度特性，從而改變了輸出基準電壓源的溫度 特性，達到了在整個工作范圍內找到三個基準電壓的局部極值 點，使輸出電壓基準對溫度的一階導數在這些點為零，從而比 普通一階補償基準電壓源的溫度特性有了很大的提高。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114282.3 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1952829A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100428104C 【授權公告日】2008-10-22 【授權公告年份】2008.0 【發明人】楊華中; 姜韜 【主權項內容】1.多點曲率補償的帶隙基準電壓源，其特征在于，該帶隙基準電壓源含有：一階補償帶隙基準電壓源，包括： PMOS管(P4)，該(P4)管的襯底和源極相連后接電源，漏極(X)接三極管(Q1)的發射極，該(Q1)管的集電極和基極都接地； PMOS管(P5)，該(P5)管的襯底和源極相連后接電源，漏極(Y)經電阻(R1)后接三極管(Q2)的發射極，該(Q2)管的集電極和基極都接地； PMOS管(P6)，該(P6)管的襯底和源極相連后接電源，漏極為輸出端(VREF)，該(VREF)端經電阻(R2)后接三極管(Q3)的發射極，該(Q3)管的集電極和基極都接地； 運算放大器(A)，正輸入端接所述PMOS管(P4)的漏極(X)，負輸入端接所述PMOS管(P5)的漏極(Y)； 向所述三極管(Q1)注入電流(Ia)的電流支路，包括： PMOS管(P2)，該(P2)管的襯底和源極相連后接電源，柵極和所述(P4)管、(P5)管以及(P6)管的柵極相連，而該(P2)管的漏極經電阻(R3)后接地； PMOS管(P1)，該(P1)管的柵極和所述(P2)管的漏極相連，而該(P1)管的襯底和源極相連后接電源，漏極接所述三極管(Q1)的集電極； 向所述三極管(Q2)注入電流(Ib)的電流支路，包括： PMOS管(P3)，該(P3)管的襯底和源極相連后接電源，柵極和所述(P2)管的柵極以及運算放大算器(A)的輸出端相連，而該(P3)管的漏極經電阻(R4)后接地； NMOS管(N1)，該(N1)管的柵極和所述(P3)管的漏極相連，而該(N1)管的襯底和源極相連后接地，漏極接所述(Q2)管的發射極； 其中，所有PMOS管的尺寸相同，三極管(Q2)的面積分別是三極管(Q1)、三極管(Q3)的N倍，電阻(R2)的大小是電阻(R1)的M倍，其中，N＝8，M值由下式確定： 上式中，VG0r是半導體材料從參考溫度Tr外推到絕對零度時得到的帶隙基準電壓，對于硅材料，其典型值是1.20595V，VBE(Tr)是溫度Tr時測得的三極管的發射結電壓VBE，η是設定值，其典型值是2.405，q是電子的電荷，k是波爾茲曼常數。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084－82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】10 【家族被引證次數】11
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