【摘要】本實用新型公開了一種安全管理方案診斷分析 儀，包括一臺投影儀及屏布，50個終端鍵盤，每個終端鍵盤上 設有若干個不同的人員組成鍵，一個確認鍵，5個答題選項鍵； 一個控制器，控制器和計算機相連，各個終端鍵盤和控制器進 行數(shù)據(jù)通訊，人員組
【摘要】 水平三溫區(qū)梯度凝固法生長砷化鎵單晶的方法屬砷化鎵單晶生長技術領域，其特點是：生長單晶的爐體不平移；溫度場高溫區(qū)T1溫度，按單晶成形點的溫度逐段下降，下降速率與單晶生長速率相吻合；不僅保證了單晶生長質量，還省去了復雜的機械傳動裝置，降低了能耗，簡化了工藝，降低了成本，是一個很有前途的發(fā)明。 【專利類型】發(fā)明授權 【申請人】尹慶民; 姚榮華 【申請人類型】個人 【申請人地址】100088北京市北三環(huán)中路43號9樓1105室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610023803.4 【申請日】2006-02-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN100357498C 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100357498C 【授權公告日】2007-12-26 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】C30B11/00; C30B29/42; C30B29/10 【發(fā)明人】尹慶民; 姚榮華 【主權項內容】1.水平三溫區(qū)梯度凝固法生長砷化鎵單晶的方法，包含內置有鎵和砷的石英舟放置 在密封的管式石英容器內，置于水平爐的溫度場中，水平爐在一個可控制傾斜 角度的架子上，有使爐體在溫度場中平移的機械傳動裝置，其特征是： 爐體不平移；溫度場高溫區(qū)(T1)溫度，按單晶成形點的溫度逐段下降，下降 速率與單晶生長速率相吻合； 并按以下步驟操作： 1)置有鎵和砷的石英反應管，裝入爐內預定位置， 2)運行升溫與合成程序， 3)升溫速率為5～10℃/分；當各溫度段升至(T1)區(qū)為1240℃、(T2)區(qū) 為1120℃、(T3)區(qū)為615℃，保持40分鐘鎵和砷合成時間； 4)用爐體的傾斜裝置控制GaAs熔體的液面，使GaAs熔體與籽晶相接； 5)當溫升到(T1)為1250℃、(T2)為1220℃、(T3)為800℃，升溫與合成 階段結束； 6)進入單晶生長階段，運行(T1)區(qū)的各段溫度，溫度場逐段下降移動， 從第(10)段開始，依次按第(9)段、第(8)段、…第(2)段、第(1)段順 序，從高溫區(qū)的溫度(T1)降至中溫區(qū)的溫度(T2)；降溫間隔時間與單 晶生長時間吻合；降溫速率為0.1～1℃/分； 7)當(T1)的第(1)段溫度降到1220℃時，生長單晶階段結束； 8)最后進入降溫階段，運行降溫程序，按每分鐘降溫速率為0.1～1℃降 溫。 【當前權利人】尹慶民; 姚榮華 【當前專利權人地址】北京市北三環(huán)中路43號9樓1105室; 【引證次數(shù)】4.0 【他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】19
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