【摘要】組件2-54后視圖與組件1后視圖相同，省略組件2-54后視圖。本外觀 設(shè)計為平面設(shè)計，省略其它視圖。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】熊惠新【申請人類型】個人【申請人地址】100872北京市海淀區(qū)人民大學(xué)靜園10-26號【申請人地區(qū)】中
【摘要】 本發(fā)明一種制作半導(dǎo)體微盤激光器的方法，包括如下步驟：(1)在清洗干凈的結(jié)構(gòu)片表面涂上光刻膠；(2)通過光刻和顯影技術(shù)，將所需的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上；(3)通過非選擇性濕法腐蝕或者干法刻蝕，根據(jù)模式頻率及品質(zhì)因子與刻蝕深度的變化關(guān)系，選擇優(yōu)化的刻蝕深度，通過準確控制刻蝕時間對刻蝕深度加以控制，得到所需的圓柱形微盤激光器。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610011924.7 【申請日】2006-05-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075726A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】羅賢樹; 黃永箴; 陳沁 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種制作半導(dǎo)體微盤激光器的方法，其特征在于，包 括如下步驟： (1)在清洗干凈的結(jié)構(gòu)片表面涂上光刻膠； (2)通過光刻和顯影技術(shù)，將所需的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠 上： (3)通過非選擇性濕法腐蝕或者干法刻蝕，根據(jù)模式頻 率及品質(zhì)因子與刻蝕深度的變化關(guān)系，選擇優(yōu)化的刻蝕深度， 通過準確控制刻蝕時間對刻蝕深度加以控制，得到所需的圓柱 形微盤激光器。 【當前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】10 【被他引次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】10
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