【摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于晶片夾持的靜電卡 盤，包括卡盤基座、盤片、絕緣環(huán)、供電柱，其中所述盤片固 定在卡盤基座上，絕緣環(huán)固定供電柱，供電柱給盤片供電；同 時(shí)供電柱和卡盤基座通過絕緣環(huán)相互絕緣。該靜電卡盤可以在 旋轉(zhuǎn)或垂直運(yùn)動(dòng)的情況下
【摘要】 本實(shí)用新型公開了一種多元弧等離子體全方位 離子注入與沉積的表面處理裝置，包括：真空室、大功率真空 陰極弧等離子體源、大功率空心陰極弧等離子體源和熱燈絲離 子源，大功率真空陰極弧等離子體源和熱燈絲離子源分別對(duì)稱 安裝于所述真空室的第一、二端口處，大功率空心陰極弧等離 子體源設(shè)置在所述真空室的第三端口處，所述真空室底部還安 裝有可調(diào)轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)。本實(shí)用新型擁有三個(gè)等離子體 源，實(shí)現(xiàn)在同一裝置中引入多元弧等離子體，使得金屬、氣體 離子同存，提高反應(yīng)效率，能獲得理想化學(xué)配比。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請人】中國科學(xué)院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620003774.0 【申請日】2006-03-06 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN2887889Y 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN2887889Y 【授權(quán)公告日】2007-04-11 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】C23C14/48; H01L21/265; H01L21/02 【發(fā)明人】楊思澤; 劉赤子; 范松華; 李立; 牛二武 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種多元弧等離子體全方位離子注入與沉積的表面處理裝置，其 特征在于，包括：真空室、大功率真空陰極弧等離子體源、大功率空心 陰極弧等離子體源和熱燈絲離子源，大功率真空陰極弧等離子體源和熱 燈絲離子源分別安裝于所述真空室的第一、二端口處，大功率空心陰極 弧等離子體源設(shè)置在所述真空室的第三端口處，所述真空室底部還安裝 有可調(diào)轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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