【摘要】一種寬光譜砷化銦砷化銦鎵砷化鎵量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)方法，包括如下步驟：在襯底上制備砷化鎵緩沖層，該緩沖層是下述有源區(qū)的下勢(shì)壘層；在砷化鎵緩沖層上制備有源區(qū)，該有源區(qū)是該砷化銦砷化銦鎵砷化鎵量子點(diǎn)材料的核心部分，為該材料的光譜發(fā)射區(qū)；在有
【摘要】 一種寬光譜砷化銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)方法，所述材料生長(zhǎng)方法是基于分子束外延設(shè)備的掩埋自組織量子點(diǎn)材料的生長(zhǎng)方法，其中包括如下步驟：取一襯底；在襯底上制備砷化鋁鎵緩沖層，該緩沖層是下述有源區(qū)的下勢(shì)壘層；在砷化鎵緩沖層上制備有源區(qū)，該有源區(qū)是該砷化銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料的核心部分，為該材料的光譜發(fā)射區(qū)；在有源區(qū)上制備低溫砷化鋁鎵蓋層，該低溫砷化鋁鎵蓋層為上述有源區(qū)的上勢(shì)壘層；在低溫砷化鋁鎵蓋層上制備高溫砷化鋁鎵蓋層，該高溫砷化鋁鎵蓋層是該砷化銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料的最外一層，具有保護(hù)作用，完成材料的生長(zhǎng)。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610064883.8 【申請(qǐng)日】2006-03-16 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101038866A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100459045C 【授權(quán)公告日】2009-02-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/20; H01L33/00; H01L31/18; H01S5/343; H01L33/06 【發(fā)明人】劉寧; 金鵬; 王占國(guó) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種寬光譜砷化銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)方法， 所述材料生長(zhǎng)方法是基于分子束外延設(shè)備的掩埋自組織量子 點(diǎn)材料的生長(zhǎng)方法，其特征在于，包括如下步驟： (1)取一襯底； (2)在襯底上制備砷化鋁鎵緩沖層，該緩沖層是下述有 源區(qū)的下勢(shì)壘層； (3)在砷化鎵緩沖層上制備有源區(qū)，該有源區(qū)是該砷化 銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料的核心部分，為該材料的光譜發(fā)射區(qū)； (4)在有源區(qū)上制備低溫砷化鋁鎵蓋層，該低溫砷化鋁 鎵蓋層為上述有源區(qū)的上勢(shì)壘層； (5)在低溫砷化鋁鎵蓋層上制備高溫砷化鋁鎵蓋層，該 高溫砷化鋁鎵蓋層是該砷化銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料的最外一 層，具有保護(hù)作用，完成材料的生長(zhǎng)。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】8 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】8
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