【摘要】本發明公開了一種形成分數精度的小波參考塊 的方法，在小波域進行運動估計的小波視頻壓縮過程中，改變 了進行分數精度運動估計之前對圖像進行插值的傳統作法，利 用過度小波變換和矩陣插值兩個操作的可交換性，首先在空間 域對圖像數據進行過度小
【摘要】 本發明公開了一種制備多級硅納米器件的方法。 該方法包括下述步驟的至少一個循環：1)用掃描探針顯微鏡對 硅基片的待加工的Si－H表面進行掃描探針氧化，得到納米級 氧化物圖案；2)將步驟1)得到的帶有氧化物圖案的硅片置于各 向異性腐蝕液中進行反應，得到所需多級硅納米元件。本發明 的制備多級硅納米器件的方法，結合掃描探針顯微鏡分辨率 高、操作靈活的優點和微電子工業中已經相對成熟的化學濕法 刻蝕技術(各向異性濕法刻蝕技術)，實現了多級納米結構的制 備加工。該方法分辨率高、可控性強、成本較低、操作簡單， 為多級納米器件的加工制備提供了靈活簡便的途徑，在納米器 件領域具有廣闊的應用前景。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號北京大學 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113196.0 【申請日】2006-09-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1919720A 【公開公告日】2007-02-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100572261C 【授權公告日】2009-12-23 【授權公告年份】2009.0 【發明人】張錦; 張瑩瑩; 劉忠范; 羅剛 【主權項內容】1、一種制備多級硅納米器件的方法，包括下述步驟的至少一個循環： 1)用掃描探針顯微鏡對硅基片的待加工的Si-H表面進行掃描探針氧化，得到納 米級氧化物圖案； 2)將步驟1)得到的帶有氧化物圖案的硅片置于各向異性腐蝕液中進行反應，得 到所需多級硅納米元件。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號北京大學 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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