【摘要】本實用新型涉及一種重力熱管冷、熱回收裝置。它的翅片重力熱管被兩個絕緣段等分成上中下三段，熱管上下端有橫聯集管，上聯集管上焊有逆止閥。在一個實施例中，該重力熱管的上中下三段皆與風道相連，在中下毗鄰的風道上裝有一個可回轉90度的密封閥及
【摘要】 本發明涉及一種硅(102)襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜，包括一硅襯底、依次生長在其上的金屬層、InGaAlN初始生長層和第一InGaAlN緩沖層，其特征在于：所述的硅襯底為采用(102)面或偏角的Si襯底。該硅襯底上生長的非極性(1120)A面氮化物薄膜可以應用于發光二極管、激光器、太陽能電池等領域。在其上依據不同的器件應用生長相應的器件外延結構，例如生長和制備的發光二極管和激光器，并進一步利用成熟的硅工藝，制備對應的雙面電極器件或采用剝離工藝的器件。本發明可以有效提高非極性A面GaN基材料的生長質量，降低成本；并大幅簡化現有器件工藝，降低成本，以及可以大幅度提高散熱效率、發光效率。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011295.8 【申請日】2006-01-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009347A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L31/0248; H01L31/18; H01L21/3205; H01L21/20; H01S5/00; C23C16/44 【發明人】陳弘; 賈海強; 周均銘; 郭麗偉 【主權項內容】1、一種硅(102)襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜，包括一硅襯底、依次生長 在其上的金屬層、InGaAlN初始生長層和第一InGaAlN緩沖層，其特征在于：所述的 硅襯底為采用(102)面或偏角的Si襯底。 -官網 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數】125 【被他引次數】125.0 【家族被引證次數】125
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