【摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種觸摸感應(yīng)裝置和方法，該方法包括下列步驟：步驟1，計(jì)數(shù)器開(kāi)始計(jì)數(shù)，同時(shí)周期性地向能夠產(chǎn)生感應(yīng)電容的感應(yīng)點(diǎn)充電，并將在感應(yīng)點(diǎn)所充的電荷周期性地轉(zhuǎn)移到第二電容上，同時(shí)，比較所述第二電容上的電壓與參考電壓的大小；當(dāng)?shù)诙娙萆?/p>
【摘要】 本發(fā)明一種制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：1)選擇基底材料，選擇錳金屬和銻金屬為源；2)將基底材料和錳、銻源材料送入生長(zhǎng)爐；3)抽真空，控制錳源和銻源的溫度和生長(zhǎng)時(shí)間；4)退火；5)完成薄膜的制備工藝。。微信 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610012247.0 【申請(qǐng)日】2006-06-14 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101089219A 【公開(kāi)公告日】2007-12-19 【公開(kāi)公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】C23C14/22; C23C14/14; C23C14/54 【發(fā)明人】戴瑞烜; 陳諾夫; 彭長(zhǎng)濤; 王鵬 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方 法，其特征在于，包括如下步驟： 1)選擇基底材料，選擇錳金屬和銻金屬為源； 2)將基底材料和錳、銻源材料送入生長(zhǎng)爐； 3)抽真空，控制錳源和銻源的溫度和生長(zhǎng)時(shí)間； 4)退火； 5)完成薄膜的制備工藝。 微信 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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