【摘要】本發明公開了一種基于動態模式的網絡RAID系 統及方法。該系統包括：虛擬存儲設備，至少一個虛擬存儲設 備接口，虛擬存儲管理臺，物理存儲設備，塊映射表，塊映射 緩存表，網絡虛擬存儲設備，設備映射表。該方法包括：1)創 建虛擬存儲設備；
【摘要】 一種測量半導體器件歐姆接觸退化失效的芯片及測量方法，屬于半導體器件失效評估領域，它由在襯底上與前者結成一體的由半導體材料構成的平臺，固接在平臺表面的一排電極，在平臺表面平行于電極固接有一排與電極一一對應的輔助電極構成，相鄰電極之間的距離互不相等，測量方法包括在電極和輔助電極間加考核電流一段時間，斷開考核電流，測量相鄰電極之間的總電阻及間距，用傳輸線法作圖并計算歐姆接觸的電阻率。使用本發明的芯片和測量方法，能避免考核電流對半導體材料的損傷，準確評估歐姆接觸退化程度的方法。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京工業大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區平樂園100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610012078.0 【申請日】2006-06-01 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083218A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100505200C 【授權公告日】2009-06-24 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/66; G01R27/00; G01R31/26 【發明人】馮士維; 張躍宗; 孫靜瑩; 張弓長; 王承棟 【主權項內容】1.一種測量半導體器件歐姆接觸退化失效的芯片，包含在襯底(0)上與前 者結成一體的由半導體材料構成的平臺(1)，固接在平臺(1)表面長度 為W的一排電極(2)，相鄰電極(2)之間的距離互不相等，其特征在于： 在平臺(1)表面平行于電極(2)固接有一排與電極(2)一一對應的輔 助電極(3)。。 【當前權利人】北京工業大學 【當前專利權人地址】北京市朝陽區平樂園100號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數】7 【被自引次數】2.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】7
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