【摘要】本發(fā)明公開了一種TFT LCD的結構，包括：一上基板及一下基板，液晶層封裝于上基板與下基板之間，其中上基板包括一上絕緣襯底；一上光吸收層；一六邊形的上反射電極層，上反射電極層之間通過連接線橫向連接；下基板包括一下絕緣襯底；一柵線和數(shù)
【摘要】 本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素 結構，包括：玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源 層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電 極及鈍化層，其中柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源 層和摻雜層；柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有 源層；第二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極外的玻璃基板 上；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成 漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；鈍化層覆蓋在像素電 極之外的部分。本發(fā)明同時公開了該像素結構的制造方法。本 發(fā)明在基于傳統(tǒng)工藝的基礎上，利用光刻工藝實現(xiàn)了三次光刻 掩模版形成薄膜晶體管的方法，可以節(jié)約陣列工藝的成本和占 機時間，提高產(chǎn)能。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】京東方科技集團股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100016北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610145113.6 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1959510A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100444012C 【授權公告日】2008-12-17 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】G02F1/1362; G03F7/00; H01L21/027; G02F1/13; H01L21/02 【發(fā)明人】邱海軍; 王章濤; 閔泰燁 【主權項內(nèi)容】1、一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構，包括：玻璃基板、柵線、柵電 極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電 極、像素電極及鈍化層，其特征在于：柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、 有源層和摻雜層；柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有源層；第 二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極 呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭 接；鈍化層覆蓋在像素電極之外的部分。 【當前權利人】高創(chuàng)(蘇州)電子有限公司; 京東方科技集團股份有限公司 【當前專利權人地址】江蘇省蘇州市吳江經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)大兢路1088號; 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 【專利權人類型】其他股份有限公司(上市) 【統(tǒng)一社會信用代碼】911100001011016602 【被引證次數(shù)】5 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】5
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