【摘要】本發(fā)明公開了一種新型空調(diào)智能傳感器，其特征在于該傳感器是由惠斯通電橋和負(fù)反饋放大器組成熱絲恒溫電路；所述負(fù)反饋放大器的兩個(gè)輸入端分別接惠斯通電橋的輸出電壓端，負(fù)反饋放大器的輸出端接惠斯通電橋的電源端，所述惠斯通電橋的兩個(gè)輸出電壓端與
【摘要】 一種基于硅襯底無犧牲層的非制冷紅外焦平面陣列，其與反光板連接的懸臂梁固支在利用各向同性腐蝕出的近似楔型硅柱上，其陣列中單元結(jié)構(gòu)分為獨(dú)立式和嵌套式。該非制冷紅外焦平面陣列器件的工藝步驟如下：1.在硅基片上淀積氮化硅薄膜；2.在正面氮化硅薄膜表面光刻，表面淀積鉻薄膜，剝離；3.刻蝕氮化硅薄膜，去鉻，清洗處理表面；4.在圖形表面光刻，表面淀積金薄膜，剝離，在支撐懸臂梁上形成厚的間隔鍍金；5.繼續(xù)在圖形表面光刻，表面淀積金薄膜，剝離，在反光板上形成薄的鍍金；6.正面腐蝕硅襯底，形成近似楔型硅柱來支撐懸臂梁，同時(shí)釋放懸臂梁和反光板薄膜形成非制冷紅外焦平面陣列。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610066888.4 【申請日】2006-03-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047149A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100452350C 【授權(quán)公告日】2009-01-14 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/822; H01L27/14; B81C1/00; B81B7/02; H01L21/70; B81B7/00 【發(fā)明人】石莎莉; 陳大鵬; 景玉鵬; 毆毅; 董立軍; 葉甜春 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種采用基于硅襯底無犧牲層工藝制作的非制冷紅外焦平面陣列，其特征在于，其固支在近似契型硅拄上的懸臂梁和反光板薄膜的形成和釋放是：先在<100>硅基片上用低壓化學(xué)氣相沉積方法淀積氮化硅薄膜，刻蝕形成懸臂梁和反光板圖形；再經(jīng)過兩次淀積金薄膜、剝離形成懸臂梁上的厚間隔鍍金和反光板上的薄鍍金；最后正面各向同性腐蝕硅襯底，形成近似契型硅拄來支撐懸臂梁，并釋放整個(gè)懸臂梁和反光板薄膜，形成非制冷紅外焦平面陣列；其步驟如下： 步驟1、在<100>硅基片上淀積氮化硅薄膜； 步驟2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，打底膠，表面淀積鉻薄膜，剝離； 步驟3、刻蝕氮化硅薄膜，形成懸臂梁和反光板圖形；去鉻，清洗處理表面； 步驟4、在圖形表面光刻，打底膠，表面淀積金薄膜，剝離，在支撐懸臂梁上形成厚的間隔鍍金； 步驟5、繼續(xù)在圖形表面光刻，打底膠，表面淀積金薄膜，剝離，在反光板上形成薄的鍍金； 步驟6、正面腐蝕硅襯底，形成近似契型硅拄來支撐懸臂梁，同時(shí)釋放懸臂梁和反光板薄膜形成非制冷紅外焦平面陣列。 【當(dāng)前權(quán)利人】杭州紅芯電子有限公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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