【摘要】本發明公開了一種全光纖數字測斜儀，由中心處 理器、信號處理器、計數器、光纜絞盤、張力傳感器、井架和 下井探管組成；中心處理器與信號處理器通過RS232接口連 接，光纜絞盤與信號處理器通過電纜線連接，計數器安裝在光 纜絞盤上，光纜絞盤
【摘要】 本發明公開了一種納米級庫侖島結構的制備方法，包括：A.在襯底的導電層上涂敷電子抗蝕劑；B.對涂敷的電子抗蝕劑進行前烘；C.對電子抗蝕劑進行電子束直寫曝光；D.對曝光后的抗蝕劑進行顯影；E.對顯影后的電子抗蝕劑進行定影；F.將定影后的電子抗蝕劑作為掩?？涛g導電層，在導電層上得到納米級的庫侖島結構；G.對得到的庫侖島結構進行去膠和高溫干氧氧化處理，得到更小尺寸的納米級庫侖島結構。利用本發明，簡化了制備工藝，降低了制備成本，提高了制備效率，并提高了制備庫侖島結構的可靠性。本發明提供的制備方法具有與傳統CMOS工藝兼容的優點，有利于本發明的廣泛推廣和應用。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610012129.X 【申請日】2006-06-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101086966A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100466204C 【授權公告日】2009-03-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/335; G03F7/00 【發明人】龍世兵; 陳杰智; 李志剛; 劉明; 陳寶欽 【主權項內容】1、一種納米級庫侖島結構的制備方法，所述庫侖島結構至少包括庫 侖島、位于庫侖島兩側的源極和漏極、連接庫侖島與源極的隧道結和連接 庫侖島與漏極的隧道結，其特征在于，該方法包括： A、在襯底的導電層上涂敷電子抗蝕劑； B、對涂敷的電子抗蝕劑進行前烘； C、對電子抗蝕劑進行電子束直寫曝光； D、對曝光后的抗蝕劑進行顯影； E、對顯影后的電子抗蝕劑進行定影； F、將定影后的電子抗蝕劑作為掩?？涛g導電層，在導電層上得到納 米級的庫侖島結構； G、對得到的庫侖島結構進行去膠和高溫干氧氧化處理，得到更小尺 寸的納米級庫侖島結構。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【引證次數】7.0 【被引證次數】8 【自引次數】3.0 【他引次數】4.0 【被自引次數】2.0 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】10.0 【家族被引證次數】8
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