【摘要】 本發(fā)明公開了一種3－酮－4－烯甾體和3－去氧－4－烯甾體化合物的制備方法，特別是涉及化合物依托孕烯和去氧孕烯的新的中間體以及該中間體在制備相關(guān)化合物中的應(yīng)用。通過實(shí)施本發(fā)明，目標(biāo)產(chǎn)物的收率較現(xiàn)有技術(shù)有很大的提高，同時(shí)，通過反應(yīng)步驟
【摘要】 本發(fā)明公開了一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，包括：基板；柵線和一體的柵電極，形成在基板上，并依次覆蓋有柵絕緣層、半導(dǎo)體層；一阻擋層，形成在半導(dǎo)體層上并露出兩側(cè)的部分半導(dǎo)體層；絕緣層，形成在柵線及柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和阻擋層的兩側(cè)；歐姆接觸層，形成在半導(dǎo)體層和阻擋層的上方；晶體管溝道；數(shù)據(jù)線及源電極、漏電極；鈍化層；像素電極，形成在鈍化層上并通過孔與源電極連接。其中絕緣層最好為聚合物。本發(fā)明同時(shí)公開了一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明能保證TFT陣列有很小的關(guān)態(tài)電流；能 降低工藝開發(fā)的難度和成本；能減少金屬斷線的發(fā)生和鈍化層內(nèi)部應(yīng)力的堆積，有利于成品率的提高。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100016北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610138045.0 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005083A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100463193C 【授權(quán)公告日】2009-02-18 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/12; H01L29/786; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/336; H01L21/768; G02F1/1368 【發(fā)明人】王章濤; 邱海軍; 閔泰燁; 林承武 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一基板； 一柵線和與其一體的柵電極，形成在所述基板上，柵線和柵電極的上 方依次覆蓋有柵絕緣層、半導(dǎo)體層； 一阻擋層，形成在所述半導(dǎo)體層上并露出兩側(cè)的部分半導(dǎo)體層； 一絕緣層，形成在所述柵線及柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和阻擋層 的兩側(cè)； 一歐姆接觸層，形成在所述半導(dǎo)體層和阻擋層的上方； 一溝道，形成在所述歐姆接觸層上并在所述阻擋層上方位置截?cái)鄽W姆 接觸層； 一數(shù)據(jù)線及與其一體的源電極，形成在所述歐姆接觸層的上方； 一漏電極，形成在所述歐姆接觸層的上方； 一鈍化層，形成在所述數(shù)據(jù)線、源電極及漏電極的上方； 一過孔，形成在所述漏電極的上方； 一像素電極，形成在所述鈍化層上，并通過過孔與所述漏電極連接。 【當(dāng)前權(quán)利人】高創(chuàng)(蘇州)電子有限公司; 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】江蘇省蘇州市吳江經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)大兢路1088號; 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 【專利權(quán)人類型】其他股份有限公司(上市) 【統(tǒng)一社會信用代碼】911100001011016602 【被引證次數(shù)】17 【被自引次數(shù)】10.0 【被他引次數(shù)】7.0 【家族引證次數(shù)】14.0 【家族被引證次數(shù)】83
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