【摘要】左視圖、右視圖和后視圖與主視圖相同，省略左視圖、右視圖和后視圖。 仰視圖無設計要點，省略仰視圖。。【專利類型】外觀設計【申請人】恒大日光投資有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】100026北京市朝陽區光華路2號陽光100國際公寓
【摘要】 本發明公開了一種薄膜晶體管器件陣列基板結構，包括：透明絕緣襯底；一組連續的數據線；一組斷續的柵線，在和數據線交匯處斷開；斷續的柵線兩端有暴露柵金屬的過孔，連接柵線的導電薄膜通過過孔將斷續的柵線連接起來；數據線上覆蓋有鈍化保護膜，并在靠近TFT器件處形成暴露金屬薄膜的過孔；源電極、漏電極上方形成暴露源漏金屬薄膜的過孔，源電極通過源電極上方的過孔、連接數據線和源電極的導電薄膜、及數據線上的過孔與數據線相連接；漏電極通過其上方的過孔與像素電極相連接。本發明同時公開了該陣列基板結構的制造方法。此方法減少掩膜版和光刻工藝次數，簡化TFT－LCD制造工藝到2－Mask流程。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100176北京經濟技術開發區西環中路8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】大興區 【申請號】CN200610082972.5 【申請日】2006-06-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101093845A 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100426511C 【授權公告日】2008-10-15 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/12; H01L23/52; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/133; G02F1/13; H01L21/70 【發明人】龍春平; 趙繼剛; 林承武 【主權項內容】1、一種薄膜晶體管器件陣列基板結構，包括： 透明絕緣襯底； 一組連續的數據線，由與TFT源漏電極相同的金屬薄膜構成； 一組斷續的柵線，在和數據線交匯處斷開； 柵線上部覆蓋有柵極絕緣薄膜、本征半導體薄膜和鈍化保護膜； 斷續的柵線兩端有暴露柵金屬的過孔，連接柵線的導電薄膜通過過孔將 斷續的柵線連接起來； 數據線下方保留有柵金屬薄膜、柵極絕緣薄膜、本征半導體薄膜和摻雜 半導體薄膜，數據線上覆蓋有鈍化保護膜，并在靠近TFT器件處形成暴露金 屬薄膜的過孔； 薄膜晶體管形成于靠近數據線的柵電極上，其源電極和漏電極由源漏金 屬薄膜組成，源電極和漏電極的圖案完全處于柵電極、本征半導體薄膜和摻 雜半導體薄膜圖案之內；源電極、漏電極和溝道上部都覆蓋有鈍化保護膜， 源電極、漏電極上方形成暴露源漏金屬薄膜的過孔，源電極通過源電極上方 的過孔、連接數據線和源電極的導電薄膜、及數據線上的過孔與數據線相連 接；漏電極通過其上方的過孔與像素電極相連接。 【當前權利人】北京京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團股份有限公司 【當前專利權人地址】北京經濟技術開發區西環中路8號; 北京市朝陽區酒仙橋路10號 【專利權人類型】有限責任公司(臺港澳與境內合資); 其他股份有限公司(上市) 【統一社會信用代碼】911103027493533932; 911100001011016602 【被引證次數】10 【被自引次數】7.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】12
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