【摘要】本發明涉及一種通用鍵盤布局方法及其搭載和嵌入信息設備與外設中的通用鍵盤，特征是：鍵盤的鍵位陣列的同檔鍵位中，每鍵位行里的字母鍵位不多于五個，K、B、X、P四個鍵位中有至少三個鍵位處在同一行里；C、E、A、R四個鍵位中有至少三個鍵位處
【摘要】 一種基于絕緣柵雙極性晶體管的中功率低壓變頻器，屬于半導體開關技術領域。包括：均壓電阻(1)、直流電容(2)、吸收電容(3)、層疊母線(4)、層疊母線絕緣板(5)、IGBT功率模塊(6)、輸入功率端子(7)、整流二極管(8)、輸出功率端子(9)、散熱器(10)、風機(11)、輪子(12)以及電流傳感器(13)。優點在于，結構緊湊，體積較小，功率密度大，安裝便利，而且線 路之間的雜生電感很小，輸出功率完全可以達到設計要求。 微信 【專利類型】發明申請 【申請人】北京金自天正智能控制股份有限公司; 冶金自動化研究設計院 【申請人類型】企業 【申請人地址】100070北京市豐臺區富豐路6號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】豐臺區 【申請號】CN200610169615.2 【申請日】2006-12-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1988338A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100466428C 【授權公告日】2009-03-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H02M1/00; H02M5/00; H02M7/537; H05K7/00; H05K7/02; H05K7/20 【發明人】朱春毅; 李崇堅; 趙如凡; 楊溪林; 李江; 路尚書; 胡培青; 王鵬; 葛鋼; 楊瓊濤 【主權項內容】1.一種基于絕緣柵雙極性晶體管的中功率低壓變頻器，其特征在于，包 括：均壓電阻(1)、直流電容(2)、吸收電容(3)、層疊母線(4)、層疊母 線絕緣板(5)、IGBT功率模塊(6)、輸入功率端子(7)、整流二極管(8)、 輸出功率端子(9)、散熱器(10)、風機(11)、輪子(12)以及電流傳感器 (13)；三個IGBT功率模塊(6)縱向平行排列，底端緊密固定在散熱器(10) 上，均壓電阻(1)縱向排列于散熱器(10)上方，風機(11)固定在散熱器 (10)底部，直流電容(2)串行排列于散熱器的右側，層疊母線(4)、層疊 母線絕緣板(5)緊覆于串行直流電容組上，一端連接功率相模塊下的整流二 極管(8)，另一端通過吸收電容(3)連接在IGBT功率模塊(6)的輸入端， IGBT功率模塊(6)的輸出端穿過電流傳感器(13)連接位于裝置后下方的輸 出功率端子(9)上，輸入功率端子(7)平行連接在整流二極管的右側，功 率裝置的底部裝有兩組輪子(12)。 【當前權利人】北京金自天正智能控制股份有限公司; 冶金自動化研究設計院 【當前專利權人地址】北京市豐臺區富豐路6號; 北京市豐臺區西四環南路72號 【專利權人類型】其他股份有限公司(上市) 【統一社會信用代碼】9111000070024070XK 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】7
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