【摘要】本發明涉及一種具有雙鋼絲加強內導體的漏泄同軸及其制作方法，該漏泄同軸內導體由兩側含有加強鋼絲的塑料空管作為機械強度支撐體，兩根加強鋼絲與該塑料空管的中心線應在同一平面，以保證漏泄同軸在敷設過程中不產生扭轉。在塑料空管的外壁縱包銅箔復
【摘要】 本發明公開了一種太陽能電池級金屬硅的提純 工藝及實現該工藝的設備。所述設備包括密閉提純爐及熱控電 路；提純爐內設有坩堝、坩堝托盤、升降桿、熱元器件、熱傳 感器；控制電路包括熱元器件、熱傳感器、儀表盤、控制調諧 器、可控硅。本發明通過熱交換提純爐，將化學、物理方法相 結合，對溫度進行控制，同時加入一些助劑除雜，定向凝固， 去雜提純，生產4N級高純硅。本發明具有投資少，操作簡單， 環保無污染，產量高，產成品市場前景廣闊的優點。 【專利類型】發明申請 【申請人】黃東; 趙曉江; 徐岳生 【申請人類型】個人 【申請人地址】016030內蒙古自治區烏海市海南區六五四20號 【申請人地區】中國 【申請人城市】烏海市 【申請人區縣】海南區 【申請號】CN200610164317.4 【申請日】2006-11-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1962436A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C01B33/037; C01B33/00 【發明人】黃東; 趙曉江; 徐岳生; 劉彩池; 王海云 【主權項內容】1.一種金屬硅提純工藝，其特征在于：所述工藝包括以下步 驟： 將2N熔硅注入密閉提純爐內的坩堝內； 將提純爐內抽真空； 向提純爐內加入惰性氣體； 提純爐內熱元器件加熱，使爐內溫度升至1600-1700℃度，保 持3-4個小時； 向熔硅中加入造渣劑； 在20-24小時內將提純爐內溫度降至常溫； 在爐溫降低過程中，將冷卻循環水注入坩堝底部的冷卻盤； 在爐體降溫和坩堝冷卻的同時，通過升降桿將坩堝緩慢地降至 提純爐爐底； 硅錠出爐，切去表層雜質層。 更多數據：搜索馬克數據網來源：www.macrodatas.cn 【當前權利人】黃東; 趙曉江; 徐岳生 【當前專利權人地址】內蒙古自治區烏海市海南區六五四20號; ; 【被引證次數】7 【被他引次數】7.0 【家族被引證次數】7
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