【摘要】一種裝兩支香煙的煙盒，煙盒主體(1)與煙蓋(2)相連，煙盒主體(1)中的裝煙腔室(3)的外層是紙煙殼(4)，裝煙腔室(3)的里層是錫鉑紙(5)。其特征是，裝煙腔室(3)的長度為13mm－17mm，寬度為6.5mm－9.5mm，高度為
【摘要】 一種低溫下制備銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜的方法，屬于寬禁帶半導體光催化科技領域。本發明通過反應磁控濺射在基材上沉積二氧化鈦膜，在沉積過程中基材所在基底不加熱且通過水冷系統冷卻，氬氣流量保持在30sccm，調節氬氣與氧氣的流量比在10∶1至5∶1之間，調節總氣壓在1Pa－4Pa之間，調節功率密度在1.4W/cm2－2.8W/cm2之間，在基底上加上負偏壓在20V－100V之間，然后開始直流反應磁控濺射成膜，在沉積薄膜的過程中，腔體內等離子體中大量氬正離子在基底偏壓的驅動下對沉積過程中的二氧化鈦薄膜進行有效轟擊，基底溫度始終低于80℃，最終實現在不耐熱的基材上制備具有光致活性的銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610147219.X 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN100999816A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100465332C 【授權公告日】2009-03-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C23C14/35; C23C14/54; C23C14/08 【發明人】鐘曉霞; 周威; 束奇偉; 夏宇興 【主權項內容】1、一種低溫下制備銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜的方法，其特征在于，步驟如 下： (1)將用于制備薄膜的基材清洗后烘干后備用； (2)將鈦靶固定在磁控陰極靶托上，并將清洗烘干后用于制備薄膜的基材 固定在磁控濺射系統真空室的樣品基座上，調節靶面至樣品的距離以及靶表面上 濺射區域的磁場強度； (3)烘烤磁控濺射系統真空室，待真空室本底真空抽至1×10-4Pa以下時， 通入氬氣，直至氣壓達到0.8Pa-4Pa之間后，對濺射系統中的鈦靶進行直流 輝光濺射清洗； (4)待濺射清洗完成后，通過反應磁控濺射在基材上沉積二氧化鈦膜，在 沉積過程中基材所在基底不加熱且通過水冷系統冷卻，調節氬氣與氧氣的流量 比在10∶1至5∶1之間，調節總氣壓在1Pa-4Pa之間，調節功率密度在1.4 W/cm2-2.8W/cm2之間，在基底上加上負偏壓在20V-100V之間，然后開始直 流反應磁控濺射成膜，在整個過程中，基底溫度始終低于80℃； (5)濺射后從真空室取出試樣，即在基材表面沉積了一層具有光致活性的 銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數】2.0 【被引證次數】15 【他引次數】2.0 【被他引次數】15.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】16
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