【摘要】本發明的無氣輪胎采用的是一種半幅式胎形設計，它的特點是：一、在不改變現有車輪輪輞的情況下，方便快速將車輪胎固定在輪輞上；二、彈力反射分散功能，它通過對橡膠膠體進行物體形狀的改變形成柱形支撐條，使橡膠膠體的力學彈性反射分散處于最佳的狀
【摘要】 本發明涉及的是一種半導體材料技術領域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟：①用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學氣相沉積方法生長硅量子點薄膜；②利用半導體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進行模擬，進一步調節該二極管的隧穿電流折疊特性；③用氣相外延裝置先在重摻雜p型單晶硅襯底上生長p型單型硅薄膜，接著在其上生長n型硅量子點薄膜，得到硅量子點共振隧穿二極管器件。本發明可實現從單穩態到雙穩態的轉變，并提高雙穩態雙峰間距，降低閾值電壓，提高了邏輯器件的噪聲容限，能夠提高電路的穩定工作能力。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610147220.2 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000874A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100449713C 【授權公告日】2009-01-07 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/329; H01L21/02 【發明人】沈文忠; 潘葳 【主權項內容】1、一種量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法，其特征在于，包括如下步驟： ①確定硅量子點共振隧穿二極管為單晶硅/硅量子點pn型的反型異質結結構， 用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學氣相沉積方法生長硅量子點薄 膜； ②利用半導體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進 行模擬，在氣相外延和等離子增強化學氣相沉積生長過程中分別摻入乙硼和磷烷， 通過改變乙硼和磷烷摻雜比例來控制硅量子點共振隧穿二極管兩側摻雜濃度，通過 控制摻雜濃度下的共振隧穿電流特性，進一步調節該二極管的隧穿電流折疊特性； ③用氣相外延裝置先在重摻雜p型單晶硅襯底上生長p型單型硅薄膜，接著在 其上生長n型硅量子點薄膜，得到硅量子點共振隧穿二極管器件。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】4
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