【摘要】1.件1為壺體，件2為拎手，件3為濾器，件4為壺蓋。 2.后視圖與主視圖對稱，省略后視圖。 3.件1后視圖與件1主視圖對稱、省略件1后視圖。 4.件2右視圖與件2左視圖對稱，省略件2右視圖；件2后視圖與 件2主視圖對稱，省略件2后視
【摘要】 一種微細加工技術領域的順次多種等離子體處理碳納米管薄膜表面形貌的方法。本發明用不同種刻蝕氣體順次對碳納米管薄膜進行等離子體表面處理，具體為：先是一次或者多次使用化學反應性氣體，對碳納米管薄膜進行反應離子輔助等離子體處理；然后使用物理作用性氣體，對碳納米管薄膜進行等離子體表面處理。本發明能在完全無序排布的碳納米管薄膜的基礎上，使碳納米管在薄膜表面的露出高度、密度得到調制，經過處理后的碳納米管薄膜的表面形貌，露出高度、密度均勻，有很好的垂直取向性。本發明可極大地優化薄膜表面質量，并完全兼容于各種基于微電子加工技術，適于加工實現陣列化設計和批量生產。 【專利類型】發明授權 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610023239.6 【申請日】2006-01-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1321223C 【公開公告日】2007-06-13 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1321223C 【授權公告日】2007-06-13 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】C23C16/513; C01B31/02; C23C16/50; C01B31/00 【發明人】侯中宇; 蔡炳初; 張亞非; 徐東 【主權項內容】1、一種順次多種等離子體處理碳納米管薄膜表面形貌的方法，其特征在于， 用不同種刻蝕氣體順次對碳納米管薄膜進行等離子體表面處理，具體為：先是 一次或者多次使用化學反應性氣體，即能夠與碳納米管發生化學反應的刻蝕氣 體，對碳納米管薄膜進行反應離子輔助等離子體處理；然后使用物理作用性氣 體，即不能與碳納米管發生反應而只能進行物理轟擊的刻蝕氣體，對碳納米管 薄膜進行等離子體表面處理。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數】2.0 【他引次數】2.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】7
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