【摘要】1.后視圖無設計要點，省略后視圖。 2.右視圖和左視圖對稱，省略右視圖。 3.仰視圖和俯視圖對稱，省略仰視圖。 4.請求保護的外觀設計包含有色彩?！緦＠愋汀客庥^設計【申請人】上海韓秉華印刷裝幀設計有限公司【申請人類型】企業【申請人
【摘要】 本發明涉及一種碳硅化鈦基梯度材料及原位反 應的制備方法，其特征在于所制備的梯度材料一端是單相 Ti3SiC2，另一端為 Ti3SiC2－TiC或SiC－TiC相，中間至少一層，制備方法是按組 成，選擇Ti、Si、C和Al為原料，混和后放電等離子原位反 應燒結，燒結溫度為1200－1500℃，升溫速率為80－200℃ /min，壓力為50－70MPa，保溫6－10分鐘。本發明特征在于 使用商用粉體為原料，采用SPS原位反應燒結，反應時間短， 能耗低，具有良好的產業化前景。。關注微信公眾號馬克數據網 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區定西路1295號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610030080.0 【申請日】2006-08-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1908214A 【公開公告日】2007-02-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100455688C 【授權公告日】2009-01-28 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C22C29/06; C22C1/05; B22F9/04; B22F3/14; B22F9/02 【發明人】王連軍; 張建峰; 江莞; 陳立東 【主權項內容】1、一種碳硅化鈦基梯度材料，其特征在于： (1)所制備的碳硅化鈦基梯度相材料一端是單相Ti3SiC2，另一端是Ti3SiC2-TiC，中間至少一層，滿足化學式 3(1-x)Ti+Si+(2-x)C→(1-x) Ti3SiC2+xSiC 0≤x＜1； (2)所制備的碳硅化鈦基梯度材料一端是單相Ti3SiC2，另一端為SiC-TiC相，中間至少一層，滿足化學式 3(1-x)Ti+Si+(2-x)C→(1-x) Ti3SiC2+xSiC 0≤x≤1，且當x＝1時， Si+Ti+2C→SiC+TiC 。 微信公眾號馬克 數據網 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區定西路1295號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【引證次數】4.0 【被引證次數】15 【自引次數】4.0 【被他引次數】15.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】15
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