【摘要】本實用新型公開了一種預制三孔電纜排管，由混凝土澆制而成，按用途分為中間段和接工井段。該電纜排管斷面呈矩形，中間設有三個用于穿電纜的通孔，中間段的長度方向上一端設有凸口，另一端設有能與凸口相配連接的凹口；接工井段長度方向上一端設有凹口
【摘要】 本發明涉及一種用于相變存儲器的鍺鈦基存儲 材料及制備方法。本發明鍺鈦基存儲材料組成式為 GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 所述的 GexTiy基存儲材料，在施加電脈沖信號的情況下，發生了高阻態 與低阻態之間的可逆轉換特性，可以用于實現數據存儲。與傳 統的用于相變存儲器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相變薄膜材 料相比，鍺鈦基存儲材料組分更簡單，不含任何有毒元素，并 且與互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件制造工藝兼容性非常 好，是一種新型的、對環境友好的可用于相變存儲器的存儲材 料。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610117815.3 【申請日】2006-10-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953229A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【發明人】宋志棠; 沈婕; 劉波; 封松林; 陳邦明 【主權項內容】1、一種用于相變存儲器的鍺鈦基存儲材料，其特征在于所述鍺鈦基存 儲材料組成式為GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 【當前權利人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【統一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數】3 【家族被引證次數】3
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