【摘要】后視圖與主視圖相同，右視圖與左視圖相同、仰視圖無文字或圖案設計要 點，省略后視圖、右視圖、仰視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】歐陽恕【申請人類型】個人【申請人地址】675600云南省彌渡縣密祉鄉城村11號【申請人地區】中國【申請人
【摘要】 本發明涉及一種p型硫化銅透明導電薄膜的制備 方法。其特征在于利用在石英玻璃透明襯底表面與硅烷分子的 化學吸附使襯底表面形成單分子薄膜，然后浸入預先制備好的 CuxS前驅體溶液中。在單分子膜 的誘導下，通過控制薄膜的生長溫度、時間以及前驅體溶液組 分配比可制備出不同電導率和透過率的薄膜。室溫條件下，該 薄膜的電導率可以達到105S/m 以上，可見光范圍內平均透過率達60％以上，局部范圍透過率 可達80％以上。本發明設計思路獨特，原料廉價易得，薄膜致 密、均勻，表面光滑平整，與襯底附著性好，制備過程簡單易 操作，可在復雜形狀的襯底上制膜，適于工業化大面積薄膜的 生產。所制備的p型CuxS透明 導電薄膜可應用于平板顯示器、太陽能電池和發光二極管等光 電器件中。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區定西路1295號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610118270.8 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1949546A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L31/18; H01L33/00; H01L21/288; H01L21/3205; C23C18/00 【發明人】劉付勝聰; 陳立東 【主權項內容】1、一種p型硫化銅透明導電薄膜的制備方法，其特征是在預清洗好的 玻璃襯底表面自組裝形成一層單分子膜，將襯底浸入CuxS前驅體溶液之中， 在單分子膜的誘導下使薄膜成核與生長，得到p型CuxS透明導電薄膜，x 介于1-2之間，具體步驟是： (a)清洗襯底：將石英玻璃襯底依次用去離子水、無水乙醇和丙酮超 聲波清洗，除去表面的油脂和污物，并干燥； (b)在襯底表面制備單分子膜：使用尾基為-SH、-NH2或-COOH或 -SO3H的活性基團的三烷氧基硅烷，通過硅烷與玻璃襯底表面的化學反應吸 附形成單分子膜，具體方法是：將一定量的硅烷溶解于無水乙醇和水的混合 液中，滴加酸作為水解催化劑且攪拌均勻，再將步驟(a)清洗后的襯底浸 入上述溶液中，靜置一段時間后取出，用去離子水清洗，經干燥后即在襯底 表面自組裝形成硅烷單分子膜； (c)前驅體溶液的制備：首先稱取一定量無機銅鹽溶解于水中，加入 熬合劑，混合均勻。然后在攪拌狀態下加入一定量的氨水，形成藍色溶液。 最后加入硫脲作為硫源，并均勻攪拌； (d)CuxS薄膜的制備：將步驟(b)自組裝形成硅烷單分子膜的襯底放 入步驟(c)制備的前驅體溶液中，密閉反應容器，然后將反應容器放入水 浴內，控制水浴溫度，CuxS在單分子膜的誘導下成核與生長，逐漸形成連續 致密的CuxS薄膜。經一段時間后將薄膜取出，并用去離子水清洗薄膜表面， 并自然干燥； 所述的三烷氧基硅烷溶解于無水乙醇和水的混合液中的濃度為 0.02-0.04g/ml，作為水解催化劑的酸與三烷氧基硅烷的質量比為0.05-0.15； 所述的銅鹽和硫胺的摩爾比為1∶0.2-2.5，溶液pH值為8-12； 所述的水浴溫度為20-99℃。。 （macrodatas.cn） 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區定西路1295號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數】11 【被自引次數】1.0 【被他引次數】10.0 【家族被引證次數】11
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