【摘要】一種對手機接收數據進行病毒掃描和處理的方法及裝置，其步驟包括：a.對接收的數據進行初步過濾，提取可疑數據段；b.對提取的可疑數據進行二次掃描，檢查是否有病毒元素存在；c.若存在病毒元素，則進行殺毒處理；其殺毒裝置包括依次以數據流聯結
【摘要】 本發明屬于一種碳化硅晶須補強氮化硅復合材 料的制造方法，是用Si3N4、SiO2、碳黑及助燒結劑為 原料，于1500～1900℃，1.1～10atmN2壓力下合成 SiC晶須，然后在600～700℃脫碳，脫碳后的復合原 料于1700～1900℃，N2氣氛下熱壓0 5～2小時，即 可得到致密的Si3N4-SiC(w)復合材料，本發明得到 的復合材料的斷裂韌性為8.0MPa·m1/2常溫強度 為670MPa，經1300℃氧化100小時后在1300℃測 得高溫強度為621MPa，僅比常溫強度降低了 7.3％。 【專利類型】發明申請 【申請人】冶金工業部鋼鐵研究總院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100081北京市海淀區學院南路76號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN91100598.6 【申請日】1991-02-04 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1052652A 【公開公告日】1991-07-03 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1026482C 【授權公告日】1994-11-09 【授權公告年份】1994.0 【IPC分類號】C04B35/80; C04B35/58 【發明人】柳光祖; 寧慎泰 【主權項內容】1、一種晶須補強氮化硅復合材料的制造方法(以下簡稱“制造方法”)，是將所需的原料混合之后于1500～1900℃經1～2h合成，然后在600～700℃保溫1～3h脫碳，再于1700～1900℃下熱壓0.5～2h，即可得到致密的Si3N4-SiC(w)復合材料，其特征在于：所述的原料為Si3N4SiO2、碳黑及助燒結劑，于1500～1900℃下，1.1～10atmN2壓力下合成復合原料。 【當前權利人】冶金工業部鋼鐵研究總院 【當前專利權人地址】北京市海淀區學院南路76號 【引證次數】1.0 【被引證次數】6.0 【他引次數】1.0 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】6.0
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