【摘要】1.省略其它視圖。 2.該涼枕內部可灌入如冰水等降溫液體。 開蓋狀態圖 A-A剖視圖 B-B剖視圖。來源：馬 克 數 據 網【專利類型】外觀設計【申請人】汕頭市塑料九廠【申請人類型】企業【申請人地址】515041廣東省汕頭市東墩水廠
【摘要】 本發明氫敏元件及制造方法，其特征在于所述的 氫敏元件是一種改質處理金屬氧化物半導體氣敏元 件的敏感膜，形成具有分子篩過濾功能的二氧化硅氫 氣透過膜的改質型金屬氧化物半導體氫敏元件。其 制造方法是將按傳統工藝制備的包括氫氣在內的金 屬氧化物半導體氣敏元件放置于特定的有機硅鹽氣 氛中熏陶，自然生長一定厚度的二氧化硅氫氣透過 膜。本發明氫敏元件具有對氫氣的高選擇性和響應 性優良效果。 【專利類型】發明申請 【申請人】穆寶貴; 黎麗琳 【申請人類型】個人 【申請人地址】150010黑龍江省哈爾濱市道里區太陽島通江晶體管廠 【申請人地區】中國 【申請人城市】哈爾濱市 【申請人區縣】道里區 【申請號】CN90104738.4 【申請日】1990-07-17 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1048770A 【公開公告日】1991-01-23 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1018780B 【授權公告日】1992-10-21 【授權公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L49/00; G01N27/12 【發明人】穆寶貴; 黎麗琳 【主權項內容】1、包括氫氣在內的金屬氧化物半導體氣敏元件經表面改質處理而形成的一種氫敏元件，其特征在于所述的氣敏元件的金屬氧化物半導體敏感膜附有一層二氧化硅氫氣透過膜； 【當前權利人】穆寶貴; 黎麗琳 【當前專利權人地址】黑龍江省哈爾濱市道里區太陽島通江晶體管廠; 【引證次數】2.0 【被引證次數】10.0 【他引次數】2.0 【被他引次數】10.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】10.0
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1775152372.html
喜歡就贊一下
